[发明专利]用于光刻过程的优化的方法

说明书

一种用于改善光刻过程的成品率的方法，所述方法包括：确定整个衬底的性能参数的参数指纹，所述参数指纹包括与所述性能参数的不确定性相关的信息；确定整个所述衬底的性能参数的过程窗口指纹，过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联；以及确定与所述性能参数在可允许范围之外的概率相关联的概率度量。可选地，基于所述概率度量来确定对所述光刻过程的校正。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年10月26日递交的EP申请16195819.4、于2016年12月22日递交的EP申请16206235.0以及于2017年8月7日递交的EP申请17185056.3的优先权，上述EP申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及器件制造，更具体地涉及用于改善光刻过程的成品率的方法。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，图案化装置(其可替代地被称作掩模或掩模版)可以用于产生待形成于IC的单层上的电路图案。该图案可以转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个或多个管芯)上。通常经由成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转移。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。

在光刻过程中，希望经常对所产生的结构进行测量，例如用于过程控制和验证。用于进行此类测量的各种工具是已知的，包括：经常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜；用于测量器件中的两个层的重叠量、对准准确度的专用工具；以及能够测量图案化衬底的各种性质的散射仪。

在已经对整个衬底测量了诸如重叠的性质的情况下，已知的过程优化技术调整用于该衬底或其它衬底的后续曝光的相关成像参数，以便优化整个衬底的该性质的均方根误差。然而，这种方法并不总是最优的。

发明内容

本发明旨在改善光刻器件制造过程的成品率。

本发明在第一方面中提供一种用于改善光刻过程的成品率的方法，所述方法包括：

确定整个衬底的性能参数的参数指纹，所述参数指纹包括与所述性能参数的不确定性相关的信息；

确定整个衬底的性能参数的过程窗口指纹，过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联；以及

使用所述参数指纹和所述过程窗口指纹来确定与所述性能参数在可允许范围之外的概率相关联的概率度量。

本发明在第二方面中提供一种用于改善光刻过程的成品率的方法，所述方法包括：

确定整个衬底的性能参数的不确定性指纹；

确定整个所述衬底的性能参数的过程窗口指纹，过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联；

确定与所述性能参数在可允许范围之外的概率相关联的概率度量；以及

基于所述概率度量来确定量测目标在所述衬底上的位置。

本发明在第三方面中提供一种用于改善光刻过程的成品率的方法，所述方法包括：

确定整个衬底的性能参数的不确定性指纹；

确定整个所述衬底的性能参数的过程窗口指纹，过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联；

确定与所述性能参数在可允许范围之外的概率相关联的概率度量；以及

基于所述概率度量来确定量测目标在所述衬底上的测量位置。

本发明在第四方面中提供一种用于改善光刻过程的成品率的方法，所述方法包括：