[发明专利]半导体器件封装在审
申请号: | 201780066917.3 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN109923684A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 孔成民 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/10;H01L33/58;H01L33/50 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 石海霞;李玉锁 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线框架 基板 半导体器件封装 发光元件 反射层 透镜 覆盖发光元件 电连接 反射 半导体 | ||
1.一种半导体器件封装,包括:
基板;
第一引线框架和第二引线框架,设置在基板上;
发光器件,电连接到第一引线框架和第二引线框架;
反射层,设置在基板上并被配置为反射从发光器件发射的光;以及
透镜,设置在基板上并被配置为覆盖发光器件、反射层、第一引线框架和第二引线框架,
其中,第一引线框架包括:
第一引线电极部分,电连接到发光器件;
边缘部分,设置在基板的边缘上;以及
延伸部,被配置为将边缘部分连接到第一引线电极部分,并且
反射层设置在边缘部分内。
2.根据权利要求1所述的半导体器件封装,包括:
第一焊盘,电连接到第一引线框架;
第二焊盘,电连接到第二引线框架;
第一贯穿电极,被配置为在基板的厚度方向上穿过基板,以将第一引线框架电连接到第一焊盘;以及
第二贯穿电极,被配置为在基板的厚度方向上穿过基板以将第二引线框电连接到第二焊盘。
3.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中,所述第一引线框架和第二引线框架中的每一个的引线电极部分被连接到齐纳二极管的电极焊盘。
4.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中,所述边缘部分围绕所述第二引线框架的第二引线电极部分。
5.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中,所述透镜包括设置在透镜中心部分上的凸起部分和被配置为围绕凸起部分的平坦部分。
6.根据权利要求5所述的半导体器件封装,包括设置在基板和平坦部分之间的坝形部分,
其中,所述坝形部分具有靠近发光器件的一个表面和与所述一个表面相对的另一个表面,并且
所述一个表面具有曲率,而另一个表面具有平坦表面。
7.根据权利要求6所述的半导体器件封装,其中,所述坝形部分连接到反射层。
8.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中,所述反射层覆盖发光器件的侧表面。
9.根据权利要求8所述的半导体器件封装,其中,所述反射层的厚度越远离发光器件越小。
10.根据权利要求1所述的半导体器件封装,包括设置在发光器件上的波长转换层,
其中,波长转换层延伸到反射层。
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