[发明专利]半导体晶片的双面抛光方法

权利要求书

1.一种半导体晶片的双面抛光方法，其使用双面抛光装置进行半导体晶片的双面抛光，该方法的特征在于，包括：

基于使用所述双面抛光装置结束双面抛光后的多个半导体晶片的形状指标、及对应该形状指标的所述双面抛光装置的抛光末期的装置日志数据，进行重回归分析，事先求出判定所述双面抛光的抛光倾向的判定函数的工序；

第1工序，根据初始抛光条件，开始所述半导体晶片的双面抛光；

第2工序，继所述第1工序，根据所述初始抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光，同时使用所述第1工序的抛光末期中的装置日志数据计算所述判定函数的值，基于该判定函数的值，将调整了所述初始抛光条件的调整抛光条件设定于所述双面抛光装置；及

第3工序，继所述第2工序，根据所述调整抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片的双面抛光方法，其中，

所述第3工序中的抛光时间基于所述判定函数的值。

3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的双面抛光方法，其中，

所述调整抛光条件包含所述双面抛光装置的平台转速及平台负载中的至少任一个的调整。

4.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的双面抛光方法，其中，

在所述半导体晶片达到指定厚度时，开始所述第2工序。

5.根据权利要求3所述的半导体晶片的双面抛光方法，其中，

在所述半导体晶片达到指定厚度时，开始所述第2工序。