[发明专利]半导体晶片的双面抛光方法

说明书

本发明提供半导体晶片的双面抛光方法，其通过对应抛光中的抛光环境变化，能够抑制抛光质量的偏差。本发明的半导体晶片的双面抛光方法包括：事先求出判定双面抛光的抛光倾向的判定函数的工序；第1工序，根据初始抛光条件，开始所述半导体晶片的双面抛光；第2工序，根据所述初始抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光，同时使用所述第1工序的指定期间中的装置日志数据计算所述判定函数的值，基于该判定函数的值，将调整了所述初始抛光条件的调整抛光条件设定于所述双面抛光装置；及第3工序，根据所述调整抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光。

技术领域

本发明涉及一种同时抛光半导体晶片的正面和背面两面的半导体晶片的双面抛光方法。

背景技术

已知有硅晶片及GaAs等的化合物半导体晶片作为半导体晶片。通常而言，半导体晶片依次通过下列工序而得到：切片工序，用线锯将单晶锭切片成为薄圆板状的晶片；磨削工序，使切片后的晶片的正面和背面平坦化，同时使其成为指定厚度；抛光工序，消除磨削后的晶片表面的凹凸，并施以平坦度高的镜面精加工。并且，根据用途可使用MOCVD法等，在抛光后的半导体晶片表面形成外延层。

在上述的半导体晶片的抛光工序中，使用同时抛光半导体晶片的两面的双面抛光法、及仅抛光单面的单面抛光法当中的任一个或两个，进行双面抛光法之后，还进行依次进行单面抛光法的多段抛光。

其中，使用图1，对根据现有技术的通常的双面抛光装置9进行说明。如图1所示，双面抛光装置9包括：具有用于保持半导体晶片20的保持孔40的载板30；分别设有抛光垫60a、60b的上平台50a及下平台50b；分别使上平台50a及下平台50b旋转的一对马达90a及90b。

上平台50a及下平台50b构成为，能够以所希望的负载夹持被保持孔40保持的半导体晶片20。马达90a及90b，使上平台50a及下平台50b以反方向旋转。并且，载板30上设有外周齿轮，通过与下平台50b中心部的中心齿轮70和下平台50b外周的内齿轮80啮合，载板30进行自转及公转(称为“行星旋转”)。另外，中心齿轮70及内齿轮80，分别由不同于马达90a及90b的马达90c，90d所驱动。双面抛光装置9，一边使夹持的载板30行星旋转，一边借助由抛光垫60a及60b进行的加压和滴下浆料(未图示)，同时对半导体晶片20的正面和背面进行化学机械抛光。

关于双面抛光后的半导体晶片所需的形状规格，将晶片中心设为凸形状或者凹形状等，可根据其后进行的各种工序而异。因此，在双面抛光法中，要求控制抛光条件，以根据规格得到如同目标形状的半导体晶片形状。

虽然确定抛光后的目标形状并进行半导体晶片的双面抛光，但仍难以得到如同目标形状的完全精确的形状，而产生误差。并且，在双面抛光法中，若进行抛光处理，则无法避免抛光垫磨损或抛光中的浆料温度变化、以及局部的浆料供给量变化等抛光环境变化，这种抛光环境变化还会导致抛光质量的恶化。因此，正在研究出各种控制双面抛光法中的抛光条件的方法。

例如，专利文献1所记载的技术中，在包含以高抛光率进行抛光的第1抛光工序和接着用低抛光率进行抛光的第2抛光工序的半导体晶片的双面抛光方法中，在半导体晶片抛光后，以光学测定半导体晶片的截面形状，并基于该测定结果，设定下一次抛光时的第1及第2抛光工序的抛光条件。根据专利文献1，通过该双面抛光方法，能够提高包括半导体晶片的最外周部在内的半导体晶片整体的平坦度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-99471号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题