[发明专利]基板处理设备以及使用基板处理设备的方法有效
申请号: | 201780068080.6 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN109923688B | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 曹生贤 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/00;H01L21/203;H01L21/02;H01L21/66;H01L21/683;H01L21/268;H01L21/687;C23C14/52;C23C14/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 以及 使用 方法 | ||
本文公开的是基板处理设备,所述基板处理设备包括:处理腔室(10),用于提供与外部隔离的处理环境;至少一个距离测量单元(500),用于非接触地测量安装在所述处理腔室(10)中的基板(S)与掩模(350)之间的距离;以及按压机构,用于在所述距离测量单元(500)正在测量在所述基板(S)与所述掩模(350)之间的距离时通过相对于彼此移动所述基板(S)和所述掩模(350)来使所述基板(S)和所述掩模(350)紧密接触。所述基板处理设备可以使所述基板(S)与所述掩模(350)对准并使它们很精确地和可靠地紧密接触,由此增加所述基板处理的产量。
技术领域
本公开涉及基板处理设备以及使用基板处理设备的基板处理方法。
背景技术
为了生产用于制造半导体的晶片、用于制造LCD的基板、用于制造OLED的基板等,基板处理设备执行沉积处理、蚀刻处理等。基板处理设备根据基板处理的种类、条件等而具有各种配置。
这种基板处理设备的示例包括沉积设备。沉积设备通过执行CVD、PVD、蒸发沉积等在基板的表面上形成薄膜。
为了生产用于制造OLED的基板,通常使用蒸发沉积材料(诸如有机材料、无机材料和金属)的处理,以在基板的表面上形成薄膜。
一种用于通过蒸发沉积材料来形成薄膜的沉积设备包括:沉积腔室,其中装载用于沉积的基板;以及源,所述源被设置在沉积腔室内部以加热沉积材料,以使沉积材料朝向基板蒸发。当沉积材料蒸发时,薄膜形成在基板的表面上。
在用于OLED的沉积设备中使用的源被安装在沉积腔室内部,以加热沉积材料,以朝向基板蒸发沉积材料。这种源可以具有各种配置,诸如在韩国专利公开案第10-2009-0015324号和第10-2004-0110718号中公开的那些配置。
如图1所示,在用于OLED的沉积设备中,通过使用与掩模350组合的基板S形成预定图案中的阳极、阴极、有机层等。
因此,在沉积处理之前,需要使基板S与掩模350对准。在相关技术领域中,基板S与处理腔室10外部的掩模350对准,并且接着它们被传送到处理腔室10中,以执行沉积处理。
不幸的是,当在将基板S和掩模350在处理腔室10外部彼此对准之后将基板S和掩模350传送到处理腔室中时,基板S和掩模350可能彼此偏离,由此导致沉积缺陷。
具体而言,当基板被传送并且在垂直定向的情况下经受沉积处理时,基板S和掩模350可能相对于彼此而略微移动。这导致沉积处理中的缺陷,并因此存在沉积处理可能失败的问题。
为了防止沉积处理中的这种缺陷,需要使基板S与掩模350紧密接触,或使基板S粘附到处理腔室10中的掩模350。然而,到目前为止,不存在检测基板S是否与掩模350紧密接触的手段。因此,如果即使基板S没有与掩模350紧密接触也执行基板处理,则可能出现诸如沉积材料甚至沉积在基板的底表面上之类的问题。
发明内容
技术问题
鉴于以上所述,本公开的目的是提供一种基板处理设备,其可精确地测量基板与掩模之间的间隙,从而执行优异的基板处理。
解决方案
根据本发明的一方面,提供了一种基板处理设备,包括:处理腔室10,所述处理腔室10用于提供与外部隔离的处理环境;至少一个距离测量单元500,所述至少一个距离测量单元500用于以非接触方式测量安装在处理腔室10中的基板S和掩模350之间的距离;以及按压机构,所述按压机构用于当距离测量单元500测量基板S和掩模350之间的距离时,通过相对于彼此移动基板S和掩模350而使它们紧密接触或彼此粘附。
基板S可以通过静电卡盘340而被吸引并固定,并且基板S可以位于掩模350和距离测量单元500之间。
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