[发明专利]带隔离膜的增强用薄膜在审
| 申请号： | 201780069515.9 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN109963919A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木翔悟;徐创矢;设乐浩司;越智元气 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/29 | 分类号： | C09J7/29;B32B7/06;B32B27/00;C09J11/06;C09J201/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离膜 薄膜 粘合剂层 粘合剂组合物 剥离 电子构件 光学构件 基材层 脱模层 添加剂 有机硅系 静电 露出面 氟系 贴合 损伤 | ||
1.一种带隔离膜的增强用薄膜，其具有增强用薄膜P和隔离膜Q，
该增强用薄膜P包含基材层A1和粘合剂层A2，
该隔离膜Q包含脱模层B1和基材层B2，
该粘合剂层A2与该脱模层B1直接层叠，
该粘合剂层A2为由粘合剂组合物a2所形成的粘合剂层，该粘合剂组合物a2含有选自有机硅系添加剂和氟系添加剂中的至少一种，
该粘合剂层A2的表面的Si元素的存在比率与F元素的存在比率的合计为3原子％～13原子％。
2.根据权利要求1所述的带隔离膜的增强用薄膜，其中，所述有机硅系添加剂为选自含硅氧烷键的化合物、含羟基的有机硅系化合物、以及含交联性官能团的有机硅系化合物中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的带隔离膜的增强用薄膜，其中，所述氟系添加剂为选自含氟化合物、含羟基的氟系化合物、以及含交联性官能团的氟系化合物中的至少一种。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的带隔离膜的增强用薄膜，其中，在温度23℃、湿度50％RH下以剥离角度150度、剥离速度10m/分钟将所述隔离膜Q从所述增强用薄膜P剥离时的、所述粘合剂层A2的表面的剥离静电压为5.0kV以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的带隔离膜的增强用薄膜，其中，所述粘合剂组合物a2含有导电成分。
6.根据权利要求5所述的带隔离膜的增强用薄膜，其中，在温度23℃、湿度50％RH下以剥离角度150度、剥离速度10m/分钟将所述隔离膜Q从所述增强用薄膜P剥离时的、所述粘合剂层A2的表面的表面电阻值为1.0×104Ω～1.0×1012Ω。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的带隔离膜的增强用薄膜，其中，所述增强用薄膜P依次包含抗静电层A3、基材层A1、以及粘合剂层A2。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的带隔离膜的增强用薄膜，其中，所述隔离膜Q依次包含脱模层B1、基材层B2、以及抗静电层B3。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的带隔离膜的增强用薄膜，其中，在温度23℃、湿度50％RH下以剥离角度150度、剥离速度10m/分钟将所述隔离膜Q从所述增强用薄膜P剥离后的、所述粘合剂层A2对玻璃板的在温度23℃、湿度50％RH、剥离角度180度、拉伸速度300mm/分钟下的初始粘合力为1.0N/25mm以上。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的带隔离膜的增强用薄膜，其中，在温度23℃、湿度50％RH下以剥离角度180度、拉伸速度300mm/分钟将所述隔离膜Q从所述增强用薄膜P剥离时的剥离力为0.30N/25mm以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780069515.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
