[发明专利]带隔离膜的增强用薄膜在审
申请号: | 201780069515.9 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN109963919A | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 佐佐木翔悟;徐创矢;设乐浩司;越智元气 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C09J7/29 | 分类号: | C09J7/29;B32B7/06;B32B27/00;C09J11/06;C09J201/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离膜 薄膜 粘合剂层 粘合剂组合物 剥离 电子构件 光学构件 基材层 脱模层 添加剂 有机硅系 静电 露出面 氟系 贴合 损伤 | ||
本发明提供一种带隔离膜的增强用薄膜,其具有增强用薄膜和隔离膜,能够抑制将隔离膜剥离时可能产生的剥离静电,即便从预先贴合于光学构件、电子构件等的露出面侧的该带隔离膜的增强用薄膜将隔离膜剥离,也能够减轻对该光学构件、电子构件造成的损伤。本发明的带隔离膜的增强用薄膜具有增强用薄膜P和隔离膜Q,该增强用薄膜P包含基材层A1和粘合剂层A2,该隔离膜Q包含脱模层B1和基材层B2,该粘合剂层A2与该脱模层B1直接层叠,该粘合剂层A2为由粘合剂组合物a2形成的粘合剂层,该粘合剂组合物a2含有选自有机硅系添加剂和氟系添加剂中的至少一种,且该粘合剂层A2的表面的Si元素的存在比率与F元素的存在比率的合计为3原子%~13原子%。
技术领域
本发明涉及带隔离膜的增强用薄膜。
背景技术
为了对光学构件、电子构件等赋予刚性或耐冲击性,有时在该光学构件、电子构件等的露出面侧预先贴合带隔离膜的增强用薄膜而预先进行增强(专利文献1)。
但是,存在如下问题:若从贴合于光学构件、电子构件等的露出面侧的带隔离膜的增强用薄膜将隔离膜剥离,则会产生剥离静电,对该光学构件、电子构件造成损伤。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-234460号公报
发明内容
本发明的课题在于,提供一种带隔离膜的增强用薄膜,其具有增强用薄膜和隔离膜,且能够抑制将隔离膜剥离时可能产生的剥离静电,即便从预先贴合于光学构件、电子构件等的露出面侧的该带隔离膜的增强用薄膜将隔离剥离膜,也能够减轻对该光学构件、电子构件造成的损伤。
本发明的带隔离膜的增强用薄膜具有增强用薄膜P和隔离膜Q,
该增强用薄膜P包含基材层A1和粘合剂层A2,
该隔离膜Q包含脱模层B1和基材层B2,
该粘合剂层A2与该脱模层B1直接层叠,
该粘合剂层A2为由粘合剂组合物a2形成的粘合剂层,该粘合剂组合物a2含有选自有机硅系添加剂和氟系添加剂中的至少一种,
该粘合剂层A2的表面的Si元素的存在比率与F元素的存在比率的合计为3原子%~13原子%。
在一个实施方式中,上述有机硅系添加剂为选自含硅氧烷键的化合物、含羟基的有机硅系化合物、以及含交联性官能团的有机硅系化合物中的至少一种。
在一个实施方式中,上述氟系添加剂为选自含氟化合物、含羟基的氟系化合物、以及含交联性官能团的氟系化合物中的至少一种。
在一个实施方式中,在温度23℃、湿度50%RH下以剥离角度150度、剥离速度10m/分钟将上述隔离膜Q从上述增强用薄膜P剥离时的、上述粘合剂层A2的表面的剥离静电压为5.0kV以下。
在一个实施方式中,上述粘合剂组合物a2含有导电成分。
在一个实施方式中,在温度23℃、湿度50%RH下以剥离角度150度、剥离速度10m/分钟将上述隔离膜Q从上述增强用薄膜P剥离时的、上述粘合剂层A2的表面的表面电阻值为1.0×104Ω~1.0×1012Ω。
在一个实施方式中,上述增强用薄膜P依次包含抗静电层A3、基材层A1以及粘合剂层A2。
在一个实施方式中,上述隔离膜Q依次包含脱模层B1、基材层B2以及抗静电层B3。
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