[发明专利]温度检测装置在审
| 申请号： | 201780069985.5 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109952495A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 茎田启行;若松俊一;塩原毅;石川贵之 | 申请（专利权）人： | 日本电波工业株式会社 |
| 主分类号： | G01K7/32 | 分类号： | G01K7/32;H03B5/32;H03H9/205 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 日本东京涉谷区笹塚1-*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 振动区域 温度检测装置 三次谐波 晶体片 检测 频率变化率 数据处理部 基波振荡 温度检测 振荡频率 开关部 振荡 基波 监视 中断 | ||
1.一种温度检测装置，其特征在于包括：
第一振动区域，由分别设于晶体片的一面侧及另一面侧的第一电极所夹持；
第二振动区域，由分别设于晶体片的一面侧及另一面侧的第二电极所夹持；
基波振荡电路，用于使所述第一振动区域或所述第二振动区域以基波振荡；
高阶谐波振荡电路，用于使所述第一振动区域或所述第二振动区域以高阶谐波振荡；
频率测量部，测量所述基波振荡电路或所述高阶谐波振荡电路的振荡频率；
开关部，用于选择将所述第一电极经由所述基波振荡电路连接于所述频率测量部的状态、将所述第一电极经由所述高阶谐波振荡电路连接于所述频率测量部的状态、将所述第二电极经由所述基波振荡电路连接于所述频率测量部的状态、及将所述第二电极经由所述高阶谐波振荡电路连接于所述频率测量部的状态中的任一个；及
数据处理部，输出所述开关部的切换信号，基于由所述频率测量部所测量的测量结果，求出所述第一振动区域及所述第二振动区域中的其中一个振动区域的高阶谐波的频率变化率与所述其中一个振动区域的基波的频率变化率的差值，并根据所述差值来检测放置晶体片的环境的温度，并且基于所述其中一个振动区域的频率的测量结果来监视所述其中一个振动区域的振荡是否异常，且
所述数据处理部构成为在判断为所述其中一个振动区域的振荡异常时，根据所述第一振动区域及所述第二振动区域中的另一振动区域的高阶谐波的频率变化率与所述另一振动区域的基波的频率变化率的差值，来检测放置晶体片的环境的温度。
2.根据权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，所述高阶谐波为三次高阶谐波。
3.根据权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，所述其中一个振动区域的振荡是否异常的监视是基于所述高阶谐波的频率变化率、基波的频率变化率及所述差值中任一个的移动平均的值而进行。
4.根据权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，所述第一振动区域及所述第二振动区域形成于共同的晶体片。
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