[发明专利]电镀金属衬底以获得所需表面粗糙度的方法在审
申请号: | 201780070572.9 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN110192268A | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | D·G·莱茨 | 申请(专利权)人: | IH知识产权控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/44 | 分类号: | H01L21/44;H01L21/324;H01L21/288 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 郑勇 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面粗糙度 电镀 电镀金属 镀层表面 放大图像 金属衬 源金属 衬底 像素 粗糙 放大装置 电镀层 电镀液 度量 镀层 横跨 记录 | ||
1.一种电镀金属衬底以获得所需表面粗糙度的方法,所述方法包括:
使用包含源金属的电镀液将金属衬底镀上源金属以产生镀层;以及
在所述电镀期间,改变多个电镀参数中的至少一个,以获得比粗糙度度量的最小预定目标值高的镀层的表面粗糙度度量值。
2.根据权利要求1所述的方法,其中改变多个电镀参数中的至少一个包括改变施加至电镀液的电流、施加至电镀液的电压以及电镀液的温度中至少一个。
3.根据权利要求2所述的方法,其中改变多个电镀参数中的至少一个包括:通过在第一个时期向电镀液的第一部分施加第一电流来改变施加到电镀液的电流,以及在随后的第二个时期向电镀液的第一部分或额外的第二部分施加第二电流,其中第二电流高于第一电流。
4.根据权利要求3所述的方法,其中第二电流比第一电流至少高80%。
5.根据权利要求1所述的方法,其中电镀金属衬底包括向电镀液施加大约1-2安培的电流。
6.根据权利要求1所述的方法,其中电镀液容积的大约5%是包括至少一种含有源金属的电镀化合物,所述源金属包括与金属衬底不同的金属。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述源金属包括至少一种氢化物形成的金属。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述源金属包括钯,以及锂和镧中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的方法,其中金属衬底包括反应器的内表面。
10.根据权利要求9所述的方法,进一步包括在电镀期间从至少一块磁体向金属衬底施加磁场。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述磁场具有至少200高斯的磁感应强度。
12.根据权利要求1所述的方法,进一步包括,在所述电镀之前,将粘合层沉积在金属衬底上,其中所述镀层包括电镀在粘合层上的源金属。
13.根据权利要求1所述的方法,其中镀层包括源金属并且具有促进放热热活性的厚度,其中所述厚度大约1-20微米。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述厚度大约5-15微米。
15.根据权利要求1所述的方法,进一步包括在所述电镀完成之后,将镀层的晶格结构加载有气体的原子。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述气体包括氢、氢同位素以及两者组合中至少一种。
17.根据权利要求15所述的方法,其中当镀层的温度在100℃以上的时候执行所述加载。
18.根据权利要求15所述的方法,进一步包括在加载期间向所述镀层施加电压。
19.根据权利要求15所述的方法,其中执行所述加载直到镀层达到至少85%的氢-源金属比。
20.根据权利要求15所述的方法,其中所述加载包括对使气体对镀层加压。
21.根据权利要求1所述的方法,进一步包括确定镀层的表面粗糙度度量值。
22.根据权利要求1所述的方法,其中确定镀层的表面粗糙度度量值包括:
获取由放大装置记录的镀层表面的放大图像;
识别放大图像中横跨多个像素的路径;以及
确定多个像素之间的对比度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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