[发明专利]层叠体及包含其的器件

权利要求书

1.层叠体，其具有气体阻隔性膜、位于所述气体阻隔性膜的一个表面的粘合剂层、位于所述气体阻隔性膜的另一个表面的剥离性膜1、和位于所述粘合剂层的与气体阻隔性膜侧呈相反侧的表面的剥离性膜2，其中，

所述气体阻隔性膜具有至少包含挠性基材的基材层、和位于所述基材层的一个表面的无机薄膜层，

所述层叠体满足式(1)及式(2)：

F1≥F2 (1)

式(1)中，F1表示剥离性膜1与气体阻隔性膜之间的剥离强度，F2表示剥离性膜2与粘合剂层之间的剥离强度，

G1/G2≥0.4 (2)

式(2)中，G1表示剥离性膜1的刚性，G2表示剥离性膜2的刚性。

2.如权利要求1所述的层叠体，其中，所述式(1)中，F1为0.1N/cm以上。

3.如权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述无机薄膜层含有硅原子、氧原子及碳原子。

4.如权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述基材层中，在挠性基材的至少一个表面具有有机层A。

5.如权利要求3所述的层叠体，其中，所述无机薄膜层中包含的相对于硅原子、氧原子及碳原子的总数而言的碳原子的原子数比在无机薄膜层的厚度方向上连续地变化。

6.如权利要求3所述的层叠体，其中，对于所述无机薄膜层而言，无机薄膜层中的相对于硅原子(Si)而言的碳原子(C)的平均原子数比在式(4)的范围内，

0.10＜C/Si＜0.50 (4)。

7.如权利要求3所述的层叠体，其中，在分别表示所述无机薄膜层的膜厚方向的距所述无机薄膜层表面的距离、与各距离处的所述无机薄膜层中包含的相对于硅原子、氧原子及碳原子的总数而言的硅的原子数比、氧的原子数比及碳的原子数比之间的关系的硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中，满足条件(i)及(ii)：

(i)硅的原子数比、氧的原子数比及碳的原子数比在所述无机薄膜层的膜厚方向的90％以上的区域中满足式(8)表示的条件，

氧的原子数比＞硅的原子数比＞碳的原子数比 (8)

(ii)所述碳分布曲线具有至少1个极值。

8.器件，其包含权利要求1～7中任一项所述的层叠体。