[发明专利]抗蚀剂基板预处理组合物和抗蚀剂基板的制造方法

权利要求书

1.一种抗蚀剂基板预处理组合物，其为含有两性表面活性剂(A1)、阴离子型表面活性剂(A2)和水的抗蚀剂基板预处理组合物，其特征在于，

从所述两性表面活性剂(A1)的等电点的数值减去所述抗蚀剂基板预处理组合物的pH的数值而得到的数值、即[两性表面活性剂(A1)的等电点的数值]－[抗蚀剂基板预处理组合物的pH的数值]为-3～4，

所述两性表面活性剂(A1)的摩尔数相对于所述两性表面活性剂(A1)的摩尔数和所述阴离子型表面活性剂(A2)的摩尔数的总摩尔数的比例、即[两性表面活性剂(A1)的摩尔数]/([两性表面活性剂(A1)的摩尔数]+[阴离子型表面活性剂(A2)的摩尔数])为0.1～0.9。

2.如权利要求1所述的抗蚀剂基板预处理组合物，其中，进一步含有沸点为100℃以上、SP值为8～20的有机溶剂(S)。

3.如权利要求1或2所述的抗蚀剂基板预处理组合物，其中，所述两性表面活性剂(A1)为下述通式(1)所示的化合物，

[化1]

通式(1)中，R¹表示碳原子数为1～25的1价饱和烃基或碳原子数为2～25的1价不饱和烃基，R²和R³各自独立地表示碳原子数为1～25的2价饱和烃基或碳原子数为2～25的2价不饱和烃基，x为1～20的整数，x为2以上的情况下，R²所示的各烃基可以为相同的烃基、也可以为不同的烃基，M⁺表示抗衡离子。

4.如权利要求1或2所述的抗蚀剂基板预处理组合物，其中，所述阴离子型表面活性剂(A2)为下述通式(2)和/或通式(3)所示的化合物，

[化2]

通式(2)中，R⁴表示碳原子数为1～25的饱和烃基或碳原子数为2～25的不饱和烃基，A¹表示碳原子数为2～12的亚烷基，y为1～20的整数，y为2以上的情况下，A¹所示的各亚烷基可以为相同的亚烷基、也可以为不同的亚烷基，M⁺表示抗衡离子，

[化3]

R⁵O-SO₃^- M⁺ (3)

通式(3)中，R⁵表示碳原子数为1～25的饱和烃基或碳原子数为2～25的不饱和烃基，M⁺表示抗衡离子。

5.如权利要求1或2所述的抗蚀剂基板预处理组合物，其中，所述两性表面活性剂(A1)的等电点为8.0～11.0。

6.如权利要求1或2所述的抗蚀剂基板预处理组合物，其中，所述两性表面活性剂(A1)与所述阴离子型表面活性剂(A2)的重量比、即[两性表面活性剂(A1)的重量]/[阴离子型表面活性剂(A2)的重量]为0.1～5.0。

7.如权利要求1或2所述的抗蚀剂基板预处理组合物，其中，所述两性表面活性剂(A1)和所述阴离子型表面活性剂(A2)的总重量与所述抗蚀剂基板预处理组合物的重量的比例、即{[两性表面活性剂(A1)和所述阴离子型表面活性剂(A2)的总重量]/[抗蚀剂基板预处理组合物的重量]}×100％为0.01重量％～20重量％。

8.如权利要求1或2所述的抗蚀剂基板预处理组合物，其中，所述抗蚀剂基板预处理组合物的pH为7.0～12.0。

9.一种抗蚀剂基板的制造方法，其特征在于，包括下述工序：

基板准备工序，准备形成有电路材料的基板；

预处理工序，使用权利要求1～8中任一项所述的抗蚀剂基板预处理组合物对所述基板进行预处理；和

抗蚀剂配置工序，将抗蚀剂配置于所述预处理工序后的所述基板上。

10.如权利要求9所述的抗蚀剂基板的制造方法，其中，所述电路材料由选自由铜、铝、铁、锡、银、镍、钛、铬和锌组成的组中的至少一种构成。