[发明专利]接合体有效
| 申请号： | 201780070878.4 | 申请日： | 2017-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN109964405B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 后藤万佐司;多井知义;山寺乔纮;堀裕二;浅井圭一郎;滑川政彦;吉野隆史 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;C30B29/30;H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接合 | ||
1.一种接合体，具备：支撑基板、压电性单晶基板、以及设置在所述支撑基板与所述压电性单晶基板之间的接合层，其特征在于，
所述压电性单晶基板的材质为LiAO3，其中，A为铌、钽、或铌及钽这两者，
所述接合层的材质为铌的氧化物、钽的氧化物、或铌与钽的复合氧化物，
沿着所述压电性单晶基板与所述接合层的边界，设置有组成为ExO(1-x)的界面层，其中，E为铌、钽、或铌及钽这两者，0.29≤x≤0.89，
在所述界面层与所述压电性单晶基板之间具有组成为GyO(1-y)的基板侧中间层，其中，G为铌、钽、或铌及钽这两者，x＜y≤0.91。
2.根据权利要求1所述的接合体，其特征在于，
所述接合层的所述材质为D2O5，D为铌、钽、或铌及钽这两者。
3.根据权利要求1或2所述的接合体，其特征在于，
所述压电性单晶基板的所述材质为LiTaO3，所述接合层的材质为Ta2O5，所述界面层的组成为TaxO(1-x)。
4.一种接合体，具备：支撑基板、压电性单晶基板、以及设置在所述支撑基板与所述压电性单晶基板之间的接合层，其特征在于，
所述压电性单晶基板的材质为LiAO3，其中，A为铌、钽、或铌及钽这两者，
所述接合层的材质为铌的氧化物、钽的氧化物、或铌与钽的复合氧化物，
沿着所述压电性单晶基板与所述接合层的边界，设置有组成为ExO(1-x)的界面层，其中，E为铌、钽、或铌及钽这两者，0.29≤x≤0.89，
在所述界面层与所述接合层之间具有组成为JzO(1-z)的接合层侧中间层，其中，J为铌、钽、或铌及钽这两者，x＜z≤0.95。
5.根据权利要求4所述的接合体，其特征在于，
所述接合层的所述材质为D2O5，D为铌、钽、或铌及钽这两者。
6.根据权利要求4或5所述的接合体，其特征在于，
所述压电性单晶基板的所述材质为LiTaO3，所述接合层的材质为Ta2O5，所述界面层的组成为TaxO(1-x)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本碍子株式会社，未经日本碍子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780070878.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高线性度相位内插器
- 下一篇：表面声波元件封装及其制造方法
