[发明专利]接合体

说明书

本发明提供一种接合体，其中，压电性单晶基板6的材质为LiAOsubgt;3/subgt;(A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素)，接合层3A的材质为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素的氧化物，沿着压电性单晶基板6与接合层3A的边界，设置有组成为Esubgt;x/subgt;Osubgt;(1‑x)/subgt;(E为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素，0.29≤x≤0.89。)的界面层12。

技术领域

本发明涉及特定的压电性单晶基板与支撑基板的接合体。

背景技术

已知移动电话等中所使用的能够作为滤波元件、振荡器发挥功能的弹性表面波器件、使用了压电薄膜的兰姆波元件、薄膜谐振器(FBAR：Film Bulk Acoustic Resonator)等弹性波器件。作为这样的弹性波器件，已知将支撑基板与传播弹性表面波的压电基板贴合、在压电基板的表面设置了可激发弹性表面波的梳形电极的弹性波器件。通过像这样地将热膨胀系数比压电基板小的支撑基板粘贴于压电基板，抑制温度变化时压电基板的大小变化，抑制作为弹性表面波器件的频率特性的变化。

例如，在专利文献1中提出了用包含环氧粘接剂的粘接层将压电基板与硅基板贴合而成的结构的弹性表面波器件。

此处，在将压电基板与硅基板接合时，已知在压电基板表面形成氧化硅膜，经由氧化硅膜将压电基板与硅基板直接键合(专利文献2)。该接合时，对氧化硅膜表面和硅基板表面照射等离子束，使表面活化，进行直接键合(等离子体活化法)。

另外，已知使压电基板的表面成为粗糙面，在该粗糙面上设置填充层来平坦化，经由粘接层将该填充层粘接于硅基板(专利文献3)。在该方法中，在填充层、粘接层中使用环氧系、丙烯酸系的树脂，通过使压电基板的接合面成为粗糙面，抑制体波的反射，减少寄生信号。

另外，已知所谓的FAB(快原子束，Fast Atom Beam)方式的直接键合法(专利文献4)。在该方法中，在常温下对各接合面照射中性化原子束来进行活化，实施直接键合。

另一方面，在专利文献5中记载了将压电性单晶基板经由中间层直接键合于包含陶瓷(氧化铝、氮化铝、氮化硅)的支撑基板，而不是直接键合于硅基板。该中间层的材质为硅、氧化硅、氮化硅、氮化铝。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-187373

专利文献2：美国专利第7213314B2

专利文献3：日本专利第5814727

专利文献4：日本特开2014-086400

专利文献5：日本专利第3774782

发明内容

然而，将包含铌酸锂或钽酸锂的压电性单晶基板牢固且稳定地接合于支撑基板是特别困难的。

本发明的课题在于：提供一种能够将包含铌酸锂或钽酸锂的压电性单晶基板与支撑基板牢固地接合的微结构。

本发明是一种接合体，具备：支撑基板、压电性单晶基板、以及设置在所述支撑基板与所述压电性单晶基板之间的接合层，其特征在于，

所述压电性单晶基板的材质为LiAO₃(A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素)，

所述接合层的材质为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素的氧化物，

沿着所述压电性单晶基板与所述接合层的边界，设置有组成为E_xO_(1-x)(E为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素，0.29≤x≤0.89)的界面层。

发明效果