[发明专利]各向异性导电膜有效
申请号: | 201780071308.7 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN109983629B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 江岛康二;平山坚一;冢尾怜司 | 申请(专利权)人: | 迪睿合株式会社 |
主分类号: | H01R11/01 | 分类号: | H01R11/01;H01B1/00;H01B1/22;H01B5/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;闫小龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 各向异性 导电 | ||
1.一种各向异性导电膜,在第一绝缘性树脂层中作为导电粒子分散了20%压缩弹性率为8000~28000N/mm 2的高硬度导电粒子、和20%压缩弹性率比该高硬度导电粒子低的低硬度导电粒子,其中,全体导电粒子的个数密度为6000个/mm 2以上,低硬度导电粒子的个数密度为全体导电粒子的10%以上,
高硬度导电粒子及低硬度导电粒子的周围的第一绝缘性树脂层的表面,相对于邻接的导电粒子间的中央部的第一绝缘性树脂层的切平面,具有倾斜或起伏,
所述倾斜中,高硬度导电粒子及低硬度导电粒子的周围的第一绝缘性树脂层的表面,相对于所述切平面有缺口,所述起伏中,高硬度导电粒子及低硬度导电粒子的正上方的第一绝缘性树脂层的树脂量,比所述高硬度导电粒子及低硬度导电粒子的正上方的第一绝缘性树脂层的表面处于该切平面时少。
2.如权利要求1所述的各向异性导电膜,其中,低硬度导电粒子的20%压缩弹性率为高硬度导电粒子的20%压缩弹性率的10%以上且70%以下。
3.如权利要求1所述的各向异性导电膜,其中,低硬度导电粒子的个数密度为全体导电粒子的20%以上且80%以下。
4.如权利要求1所述的各向异性导电膜,其中,全体导电粒子的平均粒径小于10μm,且全体导电粒子的个数密度为6000个/mm 2以上且42000个/mm 2以下。
5.如权利要求1所述的各向异性导电膜,其中,全体导电粒子的平均粒径为10μm以上,且全体导电粒子的个数密度为20个/mm 2以上且2000个/mm 2以下。
6.如权利要求1所述的各向异性导电膜,其中,包含高硬度导电粒子和低硬度导电粒子的导电粒子,在膜的俯视观察下规则配置,且在膜厚方向的位置对齐。
7.如权利要求6所述的各向异性导电膜,其中,包含高硬度导电粒子和低硬度导电粒子的导电粒子彼此互相以非接触方式存在的个数比例为95%以上。
8.如权利要求1所述的各向异性导电膜,其中,高硬度导电粒子和低硬度导电粒子随机分散。
9.如权利要求1~8的任一项所述的各向异性导电膜,其中,还包括层叠在所述第一绝缘性树脂层的一面的第二绝缘性树脂层。
10.如权利要求9所述的各向异性导电膜,其中,所述第二绝缘性树脂层的最低熔化粘度比构成所述第一绝缘性树脂层的树脂低。
11.如权利要求9所述的各向异性导电膜,其中,还包括与所述第二绝缘性树脂层夹着所述第一绝缘性树脂层而在相反侧层叠的第三绝缘性树脂层。
12.一种各向异性导电膜,在第一绝缘性树脂层中作为导电粒子分散了20%压缩弹性率为8000~28000N/mm 2的高硬度导电粒子、和20%压缩弹性率比该高硬度导电粒子低的低硬度导电粒子,
高硬度导电粒子及低硬度导电粒子的周围的第一绝缘性树脂层的表面,相对于邻接的导电粒子间的中央部的第一绝缘性树脂层的切平面,具有倾斜或起伏,
所述倾斜中,高硬度导电粒子及低硬度导电粒子的周围的第一绝缘性树脂层的表面,相对于所述切平面有缺口,所述起伏中,高硬度导电粒子及低硬度导电粒子的正上方的第一绝缘性树脂层的树脂量,比所述高硬度导电粒子及低硬度导电粒子的正上方的第一绝缘性树脂层的表面处于该切平面时少。
13.如权利要求12所述的各向异性导电膜,其中,还包括层叠在所述第一绝缘性树脂层的一面的第二绝缘性树脂层。
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