[发明专利]各向异性导电膜有效
申请号: | 201780071308.7 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN109983629B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 江岛康二;平山坚一;冢尾怜司 | 申请(专利权)人: | 迪睿合株式会社 |
主分类号: | H01R11/01 | 分类号: | H01R11/01;H01B1/00;H01B1/22;H01B5/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;闫小龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 各向异性 导电 | ||
各向异性导电膜具有:在绝缘性树脂层2中作为导电粒子分散了20%压缩弹性率为8000~28000N/mm2的高硬度导电粒子1A、和20%压缩弹性率比该高硬度导电粒子1A低的低硬度导电粒子1B的构造。全体导电粒子的个数密度为6000个/mm2以上,且低硬度导电粒子1B的个数密度为全体导电粒子的10%以上。
技术领域
本发明涉及各向异性导电膜。
背景技术
在IC芯片等的电子部件的安装中,广泛使用向绝缘性树脂层分散导电粒子的各向异性导电膜。然而,若在以各向异性导电膜连接的电子部件的端子的表面形成有氧化皮膜,则连接电阻会变高。相对于此,提出了使用粒径不同的导电粒子来冲破氧化皮膜,从而谋求低电阻化(专利文献1)、或者通过使用较硬的导电粒子来使导电粒子陷入布线,增大连接面积而谋求低电阻化(专利文献2)等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-182823号公报 ;
专利文献2:日本特开2012-164454号公报 。
发明内容
发明要解决的课题
如在专利文献1中记载的那样,如果使用粒径不同的导电粒子,则粒径小的粒子会比粒径大的粒子更加陷入端子,但是由此难以充分地谋求低电阻化。另外,如在专利文献2中记载的那样,如果使用较硬的导电粒子,则在各向异性导电连接时会需要高压压接,在通过各向异性导电连接来得到的基板和IC芯片的连接构造体有时产生变形或裂缝。
为了防止变形或裂缝的产生,有减少导电粒子的方法,但是,如果减少导电粒子则在端子中的导电粒子的捕获数减少,反而会高电阻化,或者引起连接后的导通电阻上升。
相对于此,本发明的目的在于:使用高硬度的导电粒子,以使形成有氧化皮膜的端子也能连接,且使得低压条件下的压接成为可能,并且容易进行端子中导电粒子的捕获的确认,且可靠地谋求低电阻化。
用于解决课题的方案
本发明人发现:如果混合使用硬度不同的导电粒子,则在各向异性导电连接时接触压力会集中在高硬度导电粒子,从而高硬度导电粒子冲破氧化皮膜;低硬度导电粒子利用高硬度导电粒子形成在氧化皮膜的裂缝对导通做出贡献;因而,即便降低高硬度导电粒子的粒子密度,端子的导电上高硬度导电粒子和低硬度导电粒子两者都做出贡献,因此导通电阻降低;另外,由于能够降低高硬度导电粒子的粒子密度,所以在各向异性导电连接时不需要高压下的压接,能够消除在连接构造体产生变形或裂缝的问题;进而,通过混合使用高硬度导电粒子和低硬度导电粒子,会容易观察到导电粒子的压痕,从而想到了本发明。
即本发明提供各向异性导电膜,其在绝缘性树脂层中作为导电粒子分散了20%压缩弹性率为8000~28000N/mm 2的高硬度导电粒子和20%压缩弹性率比该高硬度导电粒子低的低硬度导电粒子的各向异性导电膜,其中,全体导电粒子的个数密度为6000个/mm 2以上,低硬度导电粒子的个数密度为全体导电粒子的10%以上。
发明效果
依据本发明的各向异性导电膜,即便在电子部件的端子的表面形成有氧化皮膜,高硬度导电粒子也会陷入氧化皮膜,另外,低硬度导电粒子利用高硬度导电粒子形成在氧化皮膜的裂缝也对端子中的导通做出贡献,因此能够降低导通电阻。
另外,在高硬度导电粒子中混合了低硬度导电粒子,从而与导电粒子仅由高硬度导电粒子构成的情况相比,能够降低各向异性导电连接时所需要的压接力。因而,能够防止在各向异性导电连接的连接构造体产生变形或裂缝。
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