[发明专利]包括绕组结构的次级侧装置和用于制造次级侧装置的方法

权利要求书

1.一种包括至少一个次级绕组结构(W)的次级侧装置(3)，其中，所述次级侧装置(3)包括至少一个相线和每个相线一个次级绕组结构(W)，其中，次级侧装置包括至少两个导磁元件(5、5a、5b、5c、5d、5e)，其中，次级侧装置包括至少一个横向外导磁元件(5a、5d、5e、5f)和至少一个内导磁元件(5b、5c)，

其中

所述至少一个横向外导磁元件(5a、5d)的宽度大于所述至少一个内导磁元件(5b、5c)的宽度和/或所述至少一个内导磁元件(5b、5e)的长度(L_5b、L_5e)小于所述至少一个横向外导磁元件(5a、5f)的长度(L_5a、L_5f)，其中次级绕组结构沿次级侧装置的纵向轴线延伸，次级绕组结构包括两个或更多个沿着次级侧装置的纵向轴线延伸的子绕组结构，其中绕组结构的相继的子绕组结构沿着所述纵向轴线彼此相邻地布置，其中次级绕组结构基本上布置在由次级侧纵向轴线和横向轴线形成的二维平面内，其中至少一个子绕组结构包括至少一个沿纵向轴线延伸的绕组区段和至少一个沿横向轴线延伸的绕组区段，其中横向轴线与纵向轴线垂直，其中，长度沿纵向轴线测量，宽度沿横向轴线测量，以及至少一个导磁元件(5)的至少一个区段延伸进入或穿过由次级绕组结构(W)或次级绕组结构(W)的子绕组结构(SW1、SW2)包围的空间或区域。

2.根据权利要求1所述的次级侧装置，其特征在于，导磁元件(5)由条元件(9)提供，或者导磁元件(5)包括多个子元件，其中，一个子元件由条元件(9a、9b、9c)提供。

3.根据权利要求1或2所述的次级侧装置，其特征在于，导磁元件(5)包括每排至少两个导磁子元件的至少一排导磁子元件。

4.根据权利要求3所述的次级侧装置，其特征在于，排的至少两个子元件至少部分地彼此重叠。

5.根据权利要求3所述的次级侧装置，其特征在于，排的至少两个导磁子元件彼此横向偏移开地设置。

6.根据权利要求4所述的次级侧装置，其特征在于，排的至少两个导磁子元件彼此横向偏移开地设置。

7.根据权利要求1至2中任一项所述的次级侧装置，其特征在于，导磁元件(5)包括至少一个下部分和至少一个上部分。

8.根据权利要求3所述的次级侧装置，其特征在于，导磁元件(5)包括至少一个下部分和至少一个上部分。

9.根据权利要求4所述的次级侧装置，其特征在于，导磁元件(5)包括至少一个下部分和至少一个上部分。

10.根据权利要求5所述的次级侧装置，其特征在于，导磁元件(5)包括至少一个下部分和至少一个上部分。

11.根据权利要求1至2中任一项所述的次级侧装置，其特征在于，所述至少一个导磁元件(5)提供凹部(14)，以接收次级绕组结构(W)的至少一个区段。

12.根据权利要求3所述的次级侧装置，其特征在于，所述至少一个导磁元件(5)提供凹部(14)，以接收次级绕组结构(W)的至少一个区段。

13.根据权利要求4所述的次级侧装置，其特征在于，所述至少一个导磁元件(5)提供凹部(14)，以接收次级绕组结构(W)的至少一个区段。

14.根据权利要求5所述的次级侧装置，其特征在于，所述至少一个导磁元件(5)提供凹部(14)，以接收次级绕组结构(W)的至少一个区段。

15.根据权利要求7所述的次级侧装置，其特征在于，所述至少一个导磁元件(5)提供凹部(14)，以接收次级绕组结构(W)的至少一个区段。