[发明专利]半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201780073063.1 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109997235B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 酒井遥人;丹羽纪隆;稻津哲彦 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立;丁惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括：
在由AlN的摩尔分数为20％以上的n型氮化镓铝(AlGaN)构成的n型包覆层上形成AlGaN系半导体材料的活性层的工序，
在上述活性层上形成p型半导体层的工序，
除去上述p型半导体层、上述活性层及上述n型包覆层的一部分，使得上述n型包覆层的一部分区域露出的工序，以及
在上述n型包覆层所露出的上述一部分区域上形成n侧电极的工序；
上述进行除去的工序包含：第1干法刻蚀工序，其利用反应性气体及惰性气体这两者来进行干法刻蚀；以及第2干法刻蚀工序，其在上述第1干法刻蚀工序后利用反应性气体来进行干法刻蚀；
上述第2干法刻蚀工序的刻蚀速率为50nm/分钟以下；
上述第2干法刻蚀工序的刻蚀深度为50nm以上300nm以下。
2.如权利要求1所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，上述反应性气体包含氯气(Cl2)、三氯化硼(BCl3)及四氯化硅(SiCl4)中的至少一种。
3.如权利要求1或2所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，上述第2干法刻蚀工序的刻蚀速率比上述第1干法刻蚀工序低。
4.如权利要求1或2所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，上述第1干法刻蚀工序的刻蚀深度为300nm以上。
5.如权利要求1或2所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，
上述第1干法刻蚀工序至少除去上述p型半导体层及上述活性层，且部分地除去上述n型包覆层；
上述第2干法刻蚀工序部分地除去上述n型包覆层。
6.如权利要求1或2所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，
进一步包括在上述n侧电极形成前，使氮原子(N)在上述n型包覆层所露出的上述一部分区域上发生反应的工序。
7.如权利要求6所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，使上述氮原子发生反应的工序包含使氨(NH3)分解。
8.如权利要求6所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，使上述氮原子发生反应的工序包含将上述n型包覆层加热到100℃以上1000℃以下的温度。
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