[发明专利]半导体发光元件的制造方法

说明书

半导体发光元件(10)的制造方法包括在n型AlGaN系半导体材料的n型包覆层(24)上形成AlGaN系半导体材料的活性层(26)的工序、在活性层(26)上形成p型半导体层的工序、除去p型半导体层、活性层(26)及n型包覆层(24)的一部分，使得n型包覆层(24)的一部分区域露出的工序、以及在n型包覆层(24)所露出的一部分区域上形成n侧电极(32)的工序。进行除去的工序包含：第1干法刻蚀工序，其利用反应性气体及惰性气体这两者来进行干法刻蚀；以及第2干法刻蚀工序，其在第1干法刻蚀工序后，利用反应性气体来进行干法刻蚀。

技术领域

本发明涉及半导体发光元件的制造方法。

背景技术

近年来，输出蓝色光的发光二极管及激光二极管等半导体发光元件得到了实用化，进而输出波长较短的深紫外光的发光元件的开发被不断进行。因为深紫外光具有较高的杀菌能力，所以能够输出深紫外光的半导体发光元件作为医疗或食品加工的现场中的无汞杀菌用光源而备受瞩目。这种深紫外光用的发光元件具有被依次层叠在衬底上的氮化镓铝(AlGaN)系的n型包覆层、活性层、以及p型包覆层，在因刻蚀而露出的n型包覆层的一部分区域上，形成有n侧电极(例如，参照专利文献1)。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1:日本特许第5594530号公报

发明内容

[发明要解决的课题]

已知：n型包覆层与n侧电极的接触电阻具有n型包覆层的AlN摩尔分数越大就越是増加的倾向，良好的欧姆接触难以进行。

本发明鉴于这样的问题而完成，其示例性的目的之一在于提供一种降低半导体发光元件的n侧电极的接触电阻的技术。

[用于解决技术课题的技术方案]

为了解决上述问题，本发明的一个方案的半导体发光元件的制造方法包括在n型AlGaN系半导体材料的n型包覆层上形成AlGaN系半导体材料的活性层的工序、在活性层上形成p型半导体层的工序、除去p型半导体层、活性层及n型包覆层的一部分，使得n型包覆层的一部分区域露出的工序、以及在n型包覆层所露出的一部分区域上形成n侧电极的工序。进行除去的工序包含：第1干法刻蚀工序，其利用反应性气体及惰性气体这两者来进行干法刻蚀；以及第2干法刻蚀工序，其在第1干法刻蚀工序后，利用反应性气体来进行干法刻蚀。

根据该方案，能够通过在使n型包覆层露出的工序中，从利用反应性气体及惰性气体这两者的第1干法刻蚀工序切换到利用反应性气体的第2干法刻蚀工序，从而降低对露出的n型包覆层的损伤量。结果，能够在损伤较少的n型包覆层上形成n侧电极，并能够降低n侧电极的接触电阻。此外，能够通过在除去工序的前半部分中，利用反应性气体及惰性气体这两者，从而在对n侧包覆层的露出部分的损伤的影响较少的范围内提高刻蚀速率并提高生产性。

也可以是，反应性气体包含氯气(Cl₂)、三氯化硼(BCl₃)及四氯化硅(SiCl₄)中的至少一种。

也可以是，第2干法刻蚀工序的刻蚀速率比第1干法刻蚀工序低。

也可以是，第2干法刻蚀工序的刻蚀速率为50nm/分钟以下。

也可以是，第1干法刻蚀工序的刻蚀深度为300nm以上，第2干法刻蚀工序的刻蚀深度为300nm以下。

也可以是，第1干法刻蚀工序至少除去p型半导体层及活性层，且部分地除去n型包覆层，第2干法刻蚀工序部分地除去n型包覆层。

也可以是，进一步包括在n侧电极形成前，使氮原子(N)在n型包覆层所露出的一部分区域上发生反应的工序。

也可以是，使氮原子发生反应的工序包含使氨(NH₃)分解。