[发明专利]超芯片

权利要求书

1.一种集成电路组件，包括：

第一集成电路芯片，其包括与背侧相对的器件侧，所述器件侧包括多个晶体管器件以及多个器件侧接触点，并且所述背侧包括多个背侧接触部；以及

第二集成电路芯片，其包括器件侧，所述器件侧包括位于其上的多个器件接触点，所述第二集成电路芯片按照器件侧对器件侧配置处于所述第一集成电路芯片上，其中，所述第二集成电路芯片的所述多个器件接触点中的器件接触点耦合至所述第一集成电路芯片的所述多个器件接触点中的器件接触点，并且其中，从平面图的角度来看所述第二集成电路芯片比所述第一集成电路芯片小。

2.根据权利要求1所述的集成电路组件，还包括：

一个或多个附加集成电路芯片，所述一个或多个附加集成电路芯片中的每者包括器件侧，所述器件侧包括位于其上的多个器件接触点，并且所述一个或多个附加集成电路芯片中的每者按照器件侧对器件侧配置处于所述第一集成电路芯片上，其中，所述一个或多个附加集成电路芯片中的每者的多个器件接触点中的器件接触点耦合至所述第一集成电路芯片的多个器件接触点中的器件接触点，并且其中，从平面图的角度来看所述一个或多个附加集成电路芯片中的每者比所述第一集成电路芯片小。

3.根据权利要求2所述的集成电路组件，其中，所述一个或多个附加集成电路芯片的至少其中之一包括与所述第二集成电路芯片的功能不同的功能。

4.根据权利要求1所述的集成电路组件，其中，所述第一集成电路芯片包括在所述器件侧和所述背侧之间延伸的一个或多个穿硅过孔(TSV)，所述一个或多个TSV电耦合至所述背侧接触部。

5.根据权利要求4所述的集成电路组件，其中，所述背侧接触部包括焊料凸块。

6.根据权利要求4所述的集成电路组件，其中，所述一个或多个TSV至少部分地被电介质材料围绕。

7.根据权利要求1所述的集成电路组件，其中，所述第一集成电路芯片的所述器件侧接触点的子集位于未被占据的区域中，并且具有比所述第一集成电路芯片的所述器件侧接触点中其它器件侧接触点大的直径。

8.根据权利要求7所述的集成电路组件，其中，所述第二集成电路芯片的所述多个器件接触点具有与所述第一集成电路芯片的所述器件侧接触点相同的图案。

9.一种封装系统，包括：

具有管芯侧接触部的封装衬底；

耦合至所述封装衬底的集成电路组件，所述集成电路组件包括：

第一集成电路芯片，其包括与背侧相对的器件侧，所述器件侧包括多个晶体管器件以及多个器件侧接触点，并且所述背侧包括电耦合到所述封装衬底的所述管芯侧接触部的多个背侧接触部；以及

第二集成电路芯片，其包括器件侧和背侧，所述器件侧包括位于其上的多个器件接触点，所述第二集成电路芯片按照器件侧对器件侧配置处于所述第一集成电路芯片上，其中，所述第二集成电路芯片的所述多个器件接触点中的器件接触点耦合至所述第一集成电路芯片的所述多个器件接触点中的器件接触点，并且其中，从平面图的角度来看所述第二集成电路芯片比所述第一集成电路芯片小；以及

耦合至所述第二集成电路芯片的背侧的散热片。

10.根据权利要求9所述的封装系统，其中，所述集成电路组件还包括一个或多个附加集成电路芯片，所述一个或多个附加集成电路芯片中的每者包括器件侧，所述器件侧包括位于其上的多个器件接触点，并且所述一个或多个附加集成电路芯片中的每者按照器件侧对器件侧配置处于所述第一集成电路芯片上，其中，所述一个或多个附加集成电路芯片中的每者的所述多个器件接触点中的器件接触点耦合至所述第一集成电路芯片的所述多个器件接触点中的器件接触点，并且其中，从平面图的角度来看所述一个或多个附加集成电路芯片中的每者比所述第一集成电路芯片小。