[发明专利]超芯片

说明书

描述了超芯片结构和制作超芯片的方法。在示例中，一种集成电路组件包括具有与背侧相对的器件侧的第一集成电路芯片。所述器件侧包括多个晶体管器件以及多个器件侧接触点。所述背侧包括多个背侧接触部。第二集成电路芯片包括具有位于其上的多个器件接触点的器件侧。所述第二集成电路芯片按照器件侧对器件侧配置处于所述第一集成电路芯片上。所述第二集成电路芯片的多个器件接触点中的器件接触点耦合至所述第一集成电路芯片的多个器件接触点中的器件接触点。从平面图的角度来看所述第二集成电路芯片比所述第一集成电路芯片小。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年12月29日提交的发明名称为“HYPERCHIP”的美国临时申请No.62/440,275的权益，由此通过引用的方式将该美国临时申请的全部内容并入本文。

技术领域

本公开的实施例涉及集成电路组件的领域，并且具体而言，涉及超芯片结构和制作超芯片的方法的领域。

背景技术

现代化封装技术往往寻求管芯到管芯连接的数量的最大化。针对该挑战的传统解决方案被分类为2.5D解决方案，其利用硅内插器和穿硅过孔(TSV)以使用互连来连接管芯，所述互连具有采用最小占用面积的集成电路的典型的密度和速度。结果是越来越复杂的布局和制造技术，这降低了成品率。

附图说明

图1示出了集成电路组件的实施例的截面侧视图。

图2示出了根据本公开的实施例的图1的组件的穿过线2-2'的顶侧平面视图。

图3示出了根据本公开的实施例的充当用于集成电路器件组件的有源内插器的集成电路管芯的截面侧视图，所述内插器处于制造过程中的包括穿过所述管芯的衬底的部分的穿硅过孔(TSV)的形成的点上。

图4示出了根据本公开的实施例的在其中形成TSV之前的图3的集成电路管芯的部分并且示出了形成于管芯中的用于TSV的过孔开口。

图5示出了根据本公开的实施例的紧随在过孔开口的钝化之后的图4的结构。

图6示出了根据本公开的实施例的紧随在导电材料沉积在过孔开口中之后的图5的结构。

图7示出了根据本公开的实施例的紧随在将导电材料局限于过孔开口之后的图6的结构。

图8示出了根据本公开的实施例的紧随在从所述结构的顶表面去除电介质材料之后的图7的结构。

图9示出了根据本公开的实施例的紧随在将附加金属层形成在结构的顶表面上以得到参考图3所描述的结构之后的图8的结构。

图10示出了根据本公开的实施例的紧随在以面对面配置将两个集成电路管芯与其附接之后的图3的结构。

图11示出了根据本公开的实施例的紧随在对集成电路管芯的衬底进行减薄以暴露出管芯的背侧上的穿硅过孔之后的图10的结构。

图12示出了根据本公开的实施例的微凸块图案的实施例，所述微凸块图案例如是适用于集成电路管芯的微凸块或者多个管芯的微凸块的图案。

图13示出了根据本公开的另一实施例的微凸块图案的另一实施例。

图14示出了根据本公开的实施例的计算装置。

具体实施方式

将描述超芯片结构和制作超芯片的方法。在以下描述中，阐述了许多具体细节，例如具体的集成和材料体系，以便提供对本公开的实施例的透彻理解。对本领域的技术人员将显而易见的是可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开的实施例。在其它实例中，没有详细描述公知的特征，例如集成电路设计布局，以免不必要地使本公开的实施例难以理解。此外，应当认识到，附图中所示的各种实施例只是例示性的表示，并且未必是按比例绘制的。