[发明专利]在多电平非易失性存储器中实现一致的读取时间有效
申请号: | 201780074139.2 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN110023895B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | A·S·拉玛林嘉姆;P·卡拉瓦德 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F12/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平 非易失性存储器 实现 一致 读取 时间 | ||
1.一种固态驱动器系统,包括:
包括传输缓冲器的器件控制器设备,以及
通信地耦合到所述器件控制器设备的非易失性存储器(NVM),所述NVM包括一组多电平NVM单元和芯片控制器设备,所述芯片控制器设备包括衬底和逻辑单元,所述逻辑单元实施于固定功能硬件中并耦合到所述衬底,所述逻辑单元用于:
在读取电平之间执行多次比较,并且基于所述多次比较确定下页的位值,以从所述一组多电平NVM单元读取所述下页,
从所述一组多电平NVM单元读取一个或多个中间页,并且
从所述一组多电平NVM单元读取最末页,其中,与所述下页相关联的下读取时间或与所述最末页相关联的最末读取时间中的一个或多个基本类似于与所述一个或多个中间页相关联的中间读取时间。
2.根据权利要求1所述的系统,其中,所述多次比较在三个读取电平之间执行。
3.根据权利要求1所述的系统,其中,所述多次比较在四个读取电平之间执行。
4.根据权利要求1到3的任一项所述的系统,其中,所述逻辑单元用于读取上页以读取所述一个或多个中间页,并且其中,所述中间读取时间与所述上页相关联。
5.根据权利要求1到3的任一项所述的系统,其中,所述逻辑单元用于读取额外页以读取所述一个或多个中间页,并且其中,所述中间读取时间与所述额外页相关联。
6.根据权利要求1所述的系统,其中,所述一组多电平NVM单元包括四电平单元架构。
7.根据权利要求1所述的系统,其中,所述一组多电平NVM单元包括三电平单元架构。
8.根据权利要求1所述的系统,其中,所述器件控制器用于将来自所述下页、所述一个或多个中间页和所述最末页的垃圾收集数据存储到所述传输缓冲器,并向所述一组多电平NVM单元中的不同位置写入所述垃圾收集数据。
9.一种芯片控制器设备,包括:
衬底;以及
实施于固定功能硬件中并耦合到所述衬底的逻辑单元,所述逻辑单元用于:
在读取电平之间执行多次比较,并且基于所述多次比较确定下页的位值,以从一组多电平非易失性存储器(NVM)单元读取所述下页,
从所述一组多电平NVM单元读取一个或多个中间页,并且
从所述一组多电平NVM单元读取最末页,其中,与所述下页相关联的下读取时间或与所述最末页相关联的最末读取时间中的一个或多个基本类似于与所述一个或多个中间页相关联的中间读取时间。
10.根据权利要求9所述的设备,其中,所述多次比较在三个读取电平之间执行。
11.根据权利要求9所述的设备,其中,所述多次比较在四个读取电平之间执行。
12.根据权利要求9到11的任一项所述的设备,其中,所述逻辑单元用于读取上页以读取所述一个或多个中间页,并且其中,所述中间读取时间与所述上页相关联。
13.根据权利要求9到11的任一项所述的设备,其中,所述逻辑单元用于读取额外页以读取所述一个或多个中间页,并且其中,所述中间读取时间与所述额外页相关联。
14.根据权利要求9所述的设备,其中,所述一组多电平NVM单元包括四电平单元架构。
15.根据权利要求9所述的设备,其中,所述一组多电平NVM单元包括三电平单元架构。
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