[发明专利]具有背部气源的可旋转静电吸盘有效
申请号: | 201780075409.1 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN110050334B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 比哈瑞斯·斯瓦米纳森;伟·王 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 背部 旋转 静电 吸盘 | ||
1.一种基板支撑底座,包括:
主体,所述主体具有上表面和与所述上表面相对的下表面;
一个或多个吸附电极,所述一个或多个吸附电极设置在所述主体内;多个基板支撑元件,所述多个基板支撑元件从所述上表面突出以支撑基板;
孔,所述孔在所述主体的中心处设置于所述下表面中并且部分地穿过所述主体;
多个气孔,所述多个气孔靠近所述主体的所述中心设置在所述上表面中,其中所述多个气孔设置在所述孔的上方并且流体耦接至所述孔;多个气体分配槽,所述多个气体分配槽形成在所述上表面中并且流体耦接至所述多个气孔;和
气塞,所述气塞设置在所述多个气孔下方的所述孔中,
其中所述气塞包括沿着所述气塞的中心轴延伸并且具有第一直径的通道,
其中所述通道终止于在所述气塞的顶表面中形成的扩张开口处,并且其中所述扩张开口具有比所述第一直径大的第二直径,以允许流经所述通道的气体在流过所述多个气孔之前扩张至所述扩张开口中。
2.如权利要求1所述的基板支撑底座,其中所述主体为介电盘。
3.如权利要求2所述的基板支撑底座,其中所述介电盘具有在5mm与7mm之间的厚度。
4.如权利要求1至3的任一项所述的基板支撑底座,其中所述多个气体分配槽包括:
多个径向槽,所述多个径向槽对应于所述多个气孔并且从所述多个气孔径向向外延伸;
多个环形槽,所述多个环形槽流体耦接至所述多个径向槽;和
多个中间槽,所述多个中间槽设置在所述多个环形槽之间。
5.如权利要求1至3的任一项所述的基板支撑底座,其中所述多个基板支撑元件中的每一个具有在2.5微米与3.25微米之间的高度。
6.如权利要求1至3的任一项所述的基板支撑底座,其中所述多个气体分配槽具有约100微米的深度。
7.如权利要求1至3的任一项所述的基板支撑底座,进一步包括:
多个安装孔,所述多个安装孔经配置以接收对应的多个固定元件,以将所述基板支撑底座耦接至下方支撑件。
8.一种静电吸盘,包括:
如权利要求1至3中的任一项所述的基板支撑底座;
灯罩,所述灯罩设置在所述基板支撑底座下方并且具有多个灯,所述多个灯经配置以加热所述基板支撑底座和所述基板,其中所述灯罩包括中心孔;
底座支撑件,所述底座支撑件延伸穿过所述中心孔并且在所述底座支撑件的第一端处耦接至所述基板支撑底座的所述下表面,以用与所述多个灯间隔开的关系来支撑所述基板支撑底座,其中多个电分接头穿过所述底座支撑件并且耦接至所述基板支撑底座中的所述一个或多个吸附电极;
轴,所述轴耦接至所述底座支撑件的与所述第一端相对的第二端;和
旋转组件,所述旋转组件耦接至与所述底座支撑件相对的所述轴,以使所述轴、所述底座支撑件和所述基板支撑底座相对于所述灯罩旋转。
9.如权利要求8所述的静电吸盘,进一步包括:
金属套筒,所述金属套筒围绕在所述底座支撑件设置,以使所述多个电分接头与由所述多个灯产生的辐射隔离。
10.如权利要求8所述的静电吸盘,其中所述多个灯包括卤素灯,并且具有在2.25kW与9.5kW之间的总功率输出。
11.如权利要求8所述的静电吸盘,其中所述多个灯包括灯的内阵列和可独立控制的灯的外阵列。
12.如权利要求8所述的静电吸盘,进一步包括:
轴承组件,所述轴承组件围绕所述轴设置。
13.如权利要求12所述的静电吸盘,其中所述轴承组件电耦接至所述一个或多个吸附电极,使得功率可经由所述轴承组件馈送以向所述一个或多个吸附电极供电。
14.如权利要求13所述的静电吸盘,进一步包括:
DC功率源,所述DC功率源具有正引线和负引线,
其中所述轴承组件包括至少第一轴承和第二轴承,
其中所述多个电分接头包括至少正分接头和负分接头,
其中所述正引线耦接至所述第一轴承并且所述负引线耦接至所述第二轴承,并且
其中所述正分接头耦接至所述第一轴承并且所述负分接头耦接至所述第二轴承。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780075409.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:时间性原子层沉积处理腔室
- 下一篇:用于层转移的位错过滤系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造