[发明专利]具有背部气源的可旋转静电吸盘

说明书

本文公开了基板支撑底座和结合所述基板支撑底座的静电吸盘的实施方式。在一些实施方式中，基板支撑底座包括：具有上表面和与上表面相对的下表面的主体；一个或多个设置在主体内的吸附电极；自上表面突出以支撑基板的多个基板支撑元件；在主体中心处设置在下表面中并且部分地穿过主体的孔；多个气孔，所述多个气孔设置在靠近主体中心的上表面中，其中所述多个气孔设置在孔的上方并且流体耦接至孔；和多个气体分配槽，所述多个气体分配槽形成在上表面中并且流体耦接至多个气孔。

技术领域

本公开内容的实施方式大体上涉及在微电子装置制造工艺中用于保持基板的静电吸盘。

背景技术

在基板(例如，STT-RAM)上形成一些装置需要在沉积腔室(如物理气相沉积(PVD)腔室)中沉积的多层薄膜。在一些实施方式中，在沉积工艺期间，需要旋转基板以获得良好的膜均匀性。例如，当沉积工艺需要多个阴极和靶以沉积不同材料时，因为每个靶通常相对于基板离轴设置，所以需要旋转基板以确保良好的膜均匀性。某些层的沉积也可能需要加热基板。此外，沉积工艺需要高真空压力。在沉积工艺中，通常使用静电吸盘来将基板静电地保持在基板支撑件上。常规地，静电吸盘包括陶瓷体，陶瓷体中设置有一个或多个电极。典型的静电吸盘仅竖直上下移动，以便于基板传送。然而，发明人已观察到，由于基板上的不均匀沉积，这样的移动限制妨碍了使用这些常规的静电吸盘来进行离轴沉积。

此外，因为底座粘合(bond)到静电吸盘的其余部分，所以在低温工艺和高温工艺之间切换时，常规的静电吸盘需要改变静电吸盘的许多部分。因此，产量受到负面影响(因为在高温静电吸盘和低温静电吸盘之间切换时破坏真空密封)。

因此，发明人提供了改善的可旋转加热的静电吸盘的实施方式。

发明内容

本文公开了基板支撑底座和结合所述基板支撑底座的静电吸盘的实施方式。在一些实施方式中，基板支撑底座包括：具有上表面和与上表面相对的下表面的主体；一个或多个设置在主体内的吸附电极；自上表面突出以支撑基板的多个基板支撑元件；在主体中心处设置在下表面中并且部分地穿过主体的孔；多个气孔，所述多个气孔设置在靠近主体中心的上表面中，其中所述多个气孔设置在孔的上方并且流体耦接至孔；和多个气体分配槽，所述多个气体分配槽形成在上表面中并且流体耦接至多个气孔。

在一些实施方式中，一种处理腔室包括限定内部容积的腔室主体和设置在所述内部容积内的基板支撑件。基板支撑件包含基板支撑底座，所述基板支撑底座具有：主体，所述主体具有上表面和与所述上表面相对的下表面；一个或多个吸附电极，所述一个或多个吸附电极设置在所述主体内；多个基板支撑元件，所述多个基板支撑元件从所述上表面突出以支撑基板；孔，所述孔在所述主体的中心处设置于所述下表面中并且部分地穿过所述主体；多个气孔，所述多个气孔靠近所述主体的中心设置在所述上表面中，其中所述多个气孔设置在所述孔的上方并且流体耦接至所述孔；和多个气体分配槽，所述多个气体分配槽形成在所述上表面中并且流体耦接至所述多个气孔。

在一些实施方式中，一种基板支撑底座包括：主体，所述主体具有上表面和与所述上表面相对的下表面；一个或多个吸附电极，所述一个或多个吸附电极设置在所述主体内；多个基板支撑元件，所述多个基板支撑元件从所述上表面突出以支撑基板；孔，所述孔在所述主体的中心处设置于所述下表面中并且部分地穿过所述主体；多个气孔，所述多个气孔靠近所述主体的中心设置在所述上表面中，其中所述多个气孔设置在所述孔的上方并且流体耦接至所述孔；多个气体分配槽，所述多个气体分配槽形成在所述上表面中并且流体耦接至所述多个气孔；和气塞，所述气塞设置在所述多个气孔下方的所述孔中，其中所述气塞包括沿着所述气塞的中心轴延伸并且具有第一直径的通道，其中所述通道终止于在所述气塞的顶表面中形成的扩张开口，并且其中所述扩张开口具有比所述第一直径大的第二直径，以允许流经所述通道的气体在流过所述多个气孔之前扩张至所述扩张开口中。

下文描述本公开内容的其他和进一步的实施方式。

附图说明