[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201780075662.7 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN110050341A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 泷本和靖;市仓优太;大部利春;伊东弘晃;渡边尚威;田多伸光;山成真辉;平塚大祐;关谷洋纪;久里裕二;饭尾尚隆;松村仁嗣 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/29;H01L25/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金属部件 连接面 半导体单元 金属板 源区域 半导体元件 半导体装置 主面 对置 配置 | ||
1.一种半导体装置,其中,具备:
第1金属板;
第2金属板,与上述第1金属板分离地设置;以及
2个以上的半导体单元,配置在上述第1金属板上,与上述第2金属板连接,
上述2个以上的半导体单元分别包含:
第1金属部件,与上述第1金属板电连接;
第2金属部件,与上述第2金属板电连接,与上述第1金属部件分离地设置;
半导体元件,设置在上述第1金属部件与上述第2金属部件之间,以第1主面连接于上述第1金属部件,以上述第1主面的相反侧的第2主面连接于上述第2金属部件,
上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面,
上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面,
上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域,
上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积,
上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,还具备:
导电性的第1连接部件,设置在上述第1金属板与上述半导体单元之间;以及
导电性的第2连接部件,设置在上述第2金属板与上述半导体单元之间,
上述第1金属板具有第1面,
上述第2金属板具有朝向上述第1面的第2面,
上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板与上述第2金属板之间,
上述第1金属部件经由上述第1连接部件分别电连接于上述第1金属板,
上述第2金属部件经由上述第2连接部件电连接于上述第2金属板。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其中,
上述第1接合部件覆盖整个上述第1连接面,
上述第2接合部件覆盖整个上述第2连接面。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其中,
上述第1连接面以及上述第2连接面分别包含被倒角的角部,
上述第1接合部件以及上述第2接合部件覆盖各个上述角部。
5.如权利要求2所述的半导体装置,其中,
上述半导体元件包含:
保护环形成区域,在上述有源区域的周围沿着上述半导体元件的外周设置;以及
非通电区域,设置在上述有源区域与上述保护环形成区域之间,具有比上述有源区域的电阻率高的电阻率。
6.如权利要求5所述的半导体装置,其中,
上述非通电区域包含散热性部件。
7.如权利要求5所述的半导体装置,其中,
上述第1金属部件以及上述第2金属部件中的至少一方的外缘,处于上述有源区域与上述非通电区域的边界到上述非通电区域与上述保护环形成区域的边界之间。
8.如权利要求1所述的半导体装置,其中,
还具备分别连接于上述第2金属板的主电路布线,
上述主电路布线设置在除了设有上述2个以上的半导体单元的区域以外的其他的区域,
上述第2金属板具有比上述主电路布线的电阻值高的电阻值。
9.如权利要求8所述的半导体装置,其中,
上述第2金属板沿着电流流过的方向具有多个弯曲部。
10.如权利要求1所述的半导体装置,其中,
上述2个以上的半导体单元分别包含功能不同的半导体元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝能源系统株式会社,未经株式会社东芝;东芝能源系统株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780075662.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类