[发明专利]半导体装置

说明书

根据实施方式，半导体装置具备第1金属板、第2金属板和2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板上。上述2个以上的半导体单元分别包含第1金属部件、第2金属部件和半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

对于处理数千伏(kV)的高电压或数千安(kA)的大电流的半导体装置而言，需要极力抑制动作时的温度上升，有时使多个开关元件并联连接而动作。

存在将并联连接的多个开关元件搭载在单一的封装中而成的半导体模块。对于这样的半导体模块，需要实现低热阻并且确保高的安全性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3258200号公报

专利文献2：日本专利第4385324号公报

发明内容

发明要解决的课题

实施方式的目的在于提供一种安全性高的能够实现大电流输出的半导体装置。

用于解决课题的手段

实施方式的半导体装置具备第1金属板、与上述第1金属板分离地设置的第2金属板、和配置在上述第1金属板上并与上述第2金属板连接的2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元分别包含：与上述第1金属板电连接的第1金属部件、与上述第2金属板电连接并与上述第1金属部件分离地设置的第2金属部件、和设置在上述第1金属部件与上述第2金属部件之间并在第1主面连接于上述第1金属部件且在上述第1主面的相反侧的第2主面连接于上述第2金属部件的半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。

附图说明

图1是例示第一实施方式的半导体装置的截面图。

图2是例示第一实施方式的半导体装置的一部分的截面图。

图3是沿图1的AA线的箭头截面图的例。

图4是例示第一实施方式的半导体装置的特性的曲线图。

图5是例示比较例的半导体装置的一部分的截面图。

图6中，图6的(a)以及图6的(b)是例示第一实施方式的变形例的半导体装置的一部分的截面图。

图7是例示第二实施方式的半导体装置的一部分的截面图。

图8是例示第三实施方式的半导体装置的一部分的截面图。

图9中，图9的(a)是例示第四实施方式的半导体装置的截面图，图9的(b)是例示第四实施方式的半导体装置的一部分的平面图。

图10是例示第五实施方式的半导体装置的截面图。

图11中，图11的(a)是第五实施方式的半导体装置的一部分的俯视图，图11的(b)是侧面图。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边说明本发明的实施方式。