[发明专利]固体摄像器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种摄像器件，其包括：

半导体基板，所述半导体基板具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；

光电转换单元，位于所述半导体基板的所述第一侧；

多层配线层，位于所述半导体基板的所述第二侧；

贯通电极，所述贯通电极在所述光电转换单元与所述多层配线层之间延伸，其中，所述多层配线层包括局部配线层，其中，所述贯通电极的第二端与所述局部配线层直接接触，

其中，在形成有所述贯通电极的通孔中，依次形成有固定电荷膜、第一隔离膜和第二隔离膜，并且

所述第二隔离膜被形成为防止所述贯通电极和所述固定电荷膜在所述半导体基板的所述第二侧的开口部的侧表面处彼此接触。

2.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述光电转换单元包括下电极，并且其中，所述贯通电极的第一端与所述下电极直接接触。

3.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述光电转换单元包括上电极，并且其中，所述贯通电极的第一端经由金属构件与所述上电极间接接触。

4.根据权利要求2所述的摄像器件，其中，所述半导体基板包括位于所述半导体基板的所述第一侧的光入射表面。

5.根据权利要求4所述的摄像器件，还包括位于所述半导体基板的前表面与所述局部配线层之间的层间隔离膜，其中，所述前表面位于所述半导体基板的所述第二侧，并且其中，所述局部配线层通过所述层间隔离膜与所述半导体基板的所述前表面分隔。

6.根据权利要求4所述的摄像器件，还包括位于所述下电极与所述半导体基板的所述光入射表面之间的隔离膜。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，所述贯通电极由金属形成。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，所述贯通电极由Al、Ti、Co、Hf、Ta、Cu和W中的至少一者形成。

9.根据权利要求2所述的摄像器件，其中，所述贯通电极的所述第一端的宽度大于所述贯通电极的所述第二端的宽度。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，所述贯通电极的所述第二端是锥形的。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，还包括多个像素，其中，各所述像素包括形成在所述半导体基板中的第一光电二极管和形成在所述半导体基板中的第二光电二极管。

12.一种电子装置，其包括：

多个像素，其中，各所述像素包括：

光电转换单元，位于半导体基板的第一侧；

至少一个形成在所述半导体基板中的第一光电二极管；

多层配线层，位于所述半导体基板的与所述第一侧相对的第二侧；

贯通电极，所述贯通电极在所述光电转换单元与所述多层配线层之间延伸，其中，所述多层配线层包括局部配线层，其中，所述贯通电极的第二端与所述局部配线层直接接触，

其中，在形成有所述贯通电极的通孔中，形成有固定电荷膜、第一隔离膜和第二隔离膜，并且

所述第二隔离膜被形成为防止所述贯通电极和所述固定电荷膜在通过在所述半导体基板的所述第二侧上打开所述通孔底部而获得的开口部的侧表面处彼此接触。

13.根据权利要求12所述的电子装置，其中，所述光电转换单元包括下电极，并且其中，所述贯通电极的第一端与所述下电极直接接触。

14.根据权利要求12所述的电子装置，其中，所述光电转换单元包括上电极，并且其中，所述贯通电极的第一端经由金属构件与所述上电极间接接触。