[发明专利]固体摄像器件及其制造方法和电子装置

说明书

本发明涉及一种摄像器件，其包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体基板。光电转换单元位于所述半导体基板的第一侧。多层配线层位于所述半导体基板的第二侧。贯通电极在所述光电转换单元和所述多层配线层之间延伸。所述多层配线层包括局部配线层。所述贯通电极的第二端与所述局部配线层直接接触。

技术领域

本发明涉及固体摄像器件及其制造方法和电子装置，并且尤其涉及能够使贯通电极更精细的固体摄像器件及其制造方法和电子装置。

相关申请的交叉参考

本申请要求于2016年12月14日提交的日本在先专利申请JP2016-242144以及于2017年11月10日提交的日本在先专利申请JP2017-217217的权益，分别将它们的全部内容通过引用并入本文。

背景技术

近年来，出现了电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的像素尺寸的减小。然而，由于进入单位像素的光子的减少，这就导致了较低的灵敏度和较低的S/N。

同时，例如，作为以平面形式布置有红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)像素的像素阵列，使用基色滤波器的拜耳阵列目前是众所周知的。然而，在拜耳阵列中，G和B的光穿不过滤波器，并且不用于R像素中的光电转换；因此，在灵敏度方面出现损失，并且像素之间的差值处理导致了伪色。

在这些方面，已知一种在垂直方向上叠置三个光电转换层并在一个像素中获得三种颜色的颜色信号的技术。例如，已经提出了如下结构，其中，设置在Si基板上的光电转换膜检测G的光，并且层叠在Si基板中的两个光电二极管(PD)检测R和B的光。

在这种结构中，在光电转换膜中产生的电荷需要被转移到形成在Si基板的相反表面上的浮动扩散部(FD)。对此，例如，专利文献JP2015-38931A公开了如下结构，其中，在半导体基板的前表面和后表面之间针对每个像素设置有贯通电极，并且在光电转换膜中产生的电荷传输到FD。

发明内容

[技术问题]

然而，专利文献1中公开的结构无法使贯通电极更精细。具体地，就制造步骤而言，存在无法使Si贯通电极更精细的制约。另外，金属贯通电极可能与连接在半导体基板的前表面或后表面处的触点偏离，这可能会增加触点电阻。

本发明旨在能够可靠地使贯通电极更精细。

[解决问题的技术方案]

根据本发明的实施例，提供了一种摄像器件，其包括：半导体基板，所述半导体基板具有第一侧和所述第一侧相对的第二侧；位于所述半导体基板的第一侧的光电转换单元；位于所述半导体基板的第二侧的多层配线层；在所述光电转换单元与所述多层配线层之间延伸的贯通电极，其中，所述多层配线层包括局部配线层，并且其中，所述贯通电极的第二端与所述局部配线层直接接触。

根据本发明的实施例，提供了一种电子装置，其包括：多个像素，其中，每个像素包括：位于半导体基板的第一侧的光电转换单元；形成在半导体基板中的至少第一光电二极管；位于所述半导体基板的第二侧的多层配线层；在所述光电转换单元和所述多层配线层之间延伸的贯通电极，其中，所述多层配线层包括局部配线层，并且其中，所述贯通电极的第二端与所述局部配线层直接接触。

[发明的有益效果]

根据本发明的实施例，能够可靠地更精细地形成贯通电极。注意，本文描述的效果不一定是限制性的，并且可以表现出本发明所述的任何效果。

附图说明

图1是示出本发明的实施例的固体摄像器件的构造示例的框图。

图2是根据第一实施例的固体摄像器件的构造示例的剖视图。

图3是示出像素的制造步骤的剖视图。