[发明专利]具有存储器栅极和源极线加扰的非易失性存储器阵列

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

以行和列布置的存储器阵列，包括，

在所述存储器阵列的同一列中耦合的至少四个非易失性存储器NVM单元，其中每个NVM单元包括存储器栅极，并且其中，所述至少四个非易失性存储器NVM单元的第一NVM单元和第二NVM单元共享第一源极线，并且第三NVM单元和第四NVM单元共享第二源极线，其中所述第一源极线和第二源极线彼此相邻，

其中所述第一NVM单元和第二NVM单元的存储器栅极彼此不电耦合，其中所述第一源极线和第二源极线彼此不电耦合，并且其中所述第一源极线和第二源极线中的每一个与所述同一列中的不是所述第一源极线和第二源极线的至少一个源极线物理连接。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述存储器阵列至少部分地通过耦合多个所述至少四个非易失性存储器NVM单元来形成，其中第一多个所述至少四个非易失性存储器NVM单元被耦合以形成所述存储器阵列的第一列，并且其中所述第一列的模式在所述存储器阵列的至少一个其余列中重复。

3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，所述存储器阵列的行和列的配置是反转的。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述第一NVM单元和第二NVM单元包括镜像取向，所述第一NVM单元的存储器栅极和第二NVM单元的存储器栅极彼此面对，并且所述第一源极线设置在所述第一NVM单元的存储器栅极和第二NVM单元的存储器栅极之间，并且其中所述第三NVM单元和第四NVM单元包括镜像取向，所述第三NVM单元的存储器栅极和第四NVM单元的存储器栅极彼此面对，并且所述第二源极线设置在所述第三NVM单元的存储器栅极和第四NVM单元的存储器栅极之间。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述至少四个非易失性存储器NVM单元包括分栅存储器单元配置。

6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述至少四个非易失性存储器NVM单元包括双晶体管存储器单元配置，并且其中所述双晶体管存储器单元包括一个场效应晶体管和一个硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅晶体管或一个浮栅晶体管。

7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，当所述第一NVM单元被选择用于编程操作而所述第二NVM单元未被选择用于所述编程操作时，所述第一NVM单元的存储器栅极和第二NVM单元的存储器栅极被配置为分别从两个不同的存储器栅极驱动电路接收高电压和低电压。

8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，当所述第二NVM单元被选择用于编程操作而所述第三NVM单元未被选择用于所述编程操作时，所述第二NVM单元的存储器栅极和第三NVM单元的存储器栅极被配置为接收高电压，其中所述第一源极线和第二源极线被配置为分别从两个不同的源极线驱动电路接收高源极电压和低源极电压。

9.根据权利要求7所述的存储器设备，其中，所述高电压在5V至10V的范围内，并且所述低电压在0V至5V的范围内。

10.一种存储器阵列，包括：

以行和列布置的非易失性存储器NVM单元，每个NVM单元包括存储器栅极和选择栅极，其中，

同一列的共享源极区的两个相邻NVM单元形成NVM对，其中所述源极区设置在所述两个相邻NVM单元的存储器栅极之间，并且其中多个NVM对在所述同一列中彼此耦合，

同一行的NVM单元的至少两个存储器栅极共享存储器栅极线，

所述同一行的NVM单元的至少两个源极区共享源极线；以及

源极线连接布线，其被配置为物理连接并电连接多个源极线以形成多个源极线组，其中同一源极线组中的多个源极线在物理上彼此不相邻。