[发明专利]有机金属化学气相沉积装置

说明书

本发明涉及一种有机金属化学气相沉积装置。本发明的有机金属化学气相沉积装置包括：腔室，提供对基板进行处理的处理空间；气体供给部，向所述腔室的内部供给处理气体；以及基板支撑部，配置于所述腔室的内部，基板支撑部具备安装所述基板的收容槽，且基板支撑部对所述基板进行加热。在所述收容槽的内侧形成有安装所述基板的安装部。在所述安装部的边缘与所述收容槽之间形成有中间槽。

技术领域

本发明涉及一种有机金属化学气相沉积装置。

背景技术

在各种产业领域中逐渐使用高效率的发光二极管(LED)，因此需要一种可不使品质及性能下降而进行大量生产的设备。在制造这种发光二极管时，广泛地使用有机金属沉积反应器。

有机金属化学气相沉积(MOVCD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition)装置是向反应室内供给三族烷基(有机金属原料气体)、五族反应气体与高纯度载气的混合气体而在经加热的基板上进行热分解来使化合物半导体的结晶生长的装置。这种有机金属化学气相沉积装置是在基座装设基板，从上表面或侧面注入气体而在基板的上部生长半导体结晶。

另一方面，如图10所示，在基座(2)的收容槽(4)安装基板(W)而进行制程时，会在基板(W)与收容槽(4)的底部之间流入处理气体而形成如颗粒(6)等的异物。在此情况下，在为了对晶片(W)进行后续制程而像图10一样将晶片(W)安装到收容槽(4)时，因颗粒(6)而无法平行地放置晶片(W)，而是像图中所示一样倾斜地放置。这种情况在晶片(W)的表面上产生温度偏差而使薄膜生长的情况下成为产率下降的因素。

另外，为了制造射出紫外线的发光二极管及激光二极管，通常使用以氮化铝(AlN)为基质的物质。为了抑制用作铝(Al)的前驱物的三甲基铝TMA(Trimethylaluminium)与用作氮(N)的前驱物的NH₃的寄生反应，需将以气体状态混合存在的时间最小化。为此，通常提高气体喷射速度较为普遍。

然而，如果提高气体喷射速度，则产生因气体流动引起的乱流(turbulence)，这会无意地使在高温下具有凹陷的形状的翘曲的基板旋转。这种情况会导致在生长结束后不易对基板内的薄膜的特性进行分析的问题。另外，使用具有平面的基板来代替通常的圆形基板，在此情况下，在基板旋转时会产生卡入现象。

例如，如果基板(W)在像图11一样安装在基座的收容槽(510)的状态下旋转，则在基板(W)旋转的状态下，基板(W)的平面(Wf)与圆周面(Ws)接触的角隅区域(Wc)抵接到收容槽(510)的平面部(512)，从而基板(W)的角隅区域(Wc)会卡入到收容槽(510)的内部。尤其，在因腔室内部的高温而基板(W)膨胀的情况下，上述卡入现象会加重，在严重的情况下会导致基板(W)破损或基座破损。

发明内容

发明要解决的问题

为了解决如上所述的问题，本发明的目的在于提供一种在基板支撑部的收容槽安装基板的情况下，可防止因会形成到所述收容槽的颗粒等而倾斜地配置所述基板的有机金属化学气相沉积装置。

为了解决如上所述的问题，本发明的目的在于提供一种在基板支撑部的收容槽安装基板的情况下，可通过防止所述基板旋转而防止所述基板卡入到所述收容槽或破损的有机金属化学气相沉积装置。

解决问题的手段

通过一种有机金属化学气相沉积装置达成本发明的上述目的，其特征在于包括：腔室，提供对基板进行处理的处理空间；气体供给部，向所述腔室的内部供给处理气体；以及基板支撑部，配置于所述腔室的内部，具备安装所述基板的收容槽，对所述基板进行加热；且在所述收容槽的内侧形成有安装所述基板的安装部，在所述安装部的边缘与所述收容槽之间形成有中间槽。

此处，可平坦地形成所述安装部的上表面。