[发明专利]使用夹具的半导体制造用部件制作方法及制造装置有效

专利信息
申请号: 201780076235.0 申请日: 2017-12-18
公开(公告)号: CN110073466B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 金基源 申请(专利权)人: 韩国东海碳素株式会社
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H05H1/46;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/67
代理公司: 北京尚伦律师事务所 11477 代理人: 张俊国
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 夹具 半导体 制造 部件 制作方法 装置
【权利要求书】:

1.一种利用夹具的半导体制造用部件的制造方法,其中,

包括:

准备母材的步骤;

通过夹具支撑所述母材的至少一面的步骤;

向通过所述夹具支撑的所述母材喷射原料气体来形成蒸镀层的步骤;以及

对形成所述蒸镀层的所述母材进行加工的步骤,

所述夹具的剖面呈锥形形状,沿着靠近所述母材的表面的方向,剖面的宽度增加,

其中,在所述夹具和所述母材的接触部分,所述夹具与所述接触部分的母材所形成的角度为钝角,

其中,所述加工步骤为以包括所述母材的至少一部分并包括覆盖所述夹具的至少一部分的蒸镀层的方式进行切割的工序。

2.如权利要求1所述的利用夹具的半导体制造用部件的制造方法,其中,所述夹具与所述接触部分的母材所形成的角度为95度至170度。

3.如权利要求1所述的利用夹具的半导体制造用部件的制造方法,其中,所述夹具包含选自由石墨、炭黑及SiC组成的组中的至少一种。

4.如权利要求1所述的利用夹具的半导体制造用部件的制造方法,其中,所述母材包含选自由石墨、TaC、反应烧结SiC、常压烧结SiC、热压SiC、重结晶SiC及CVD SiC组成的组中的至少一种。

5.如权利要求1所述的利用夹具的半导体制造用部件的制造方法,其中,所述母材及蒸镀层的厚度比例为1:1至100:1。

6.一种利用夹具的半导体制造用部件的制造方法,其中,

包括:

准备母材的步骤;

通过夹具支撑所述母材的至少一面的步骤;

向通过所述夹具支撑的所述母材喷射原料气体来形成蒸镀层的步骤;以及

对形成所述蒸镀层的所述母材进行加工的步骤,

所述夹具中,与所述母材相接的面相连的剖面的至少一侧部呈圆弧状,

其中,所述加工步骤为以包括所述母材的至少一部分并包括覆盖所述夹具的至少一部分的蒸镀层的方式进行切割的工序。

7.一种利用夹具的半导体制造用部件的制造装置,其中,

包括:

腔室;

原料气体喷嘴,从所述腔室外部向内部设置;

搭载部,在所述腔室的至少一侧,沿着所述腔室内部中央方向延伸设置;以及

能够更换的夹具,用于支撑与所述搭载部一端部连接设置的母材,

所述夹具的剖面呈锥形形状,沿着靠近所述母材的表面的方向,剖面的宽度增加,

其中,所述夹具与接触部分的母材所形成的角度为钝角,

其中,所述半导体制造用部件中,包括所述母材的至少一部分,包括覆盖所述夹具的至少一部分的蒸镀层。

8.如权利要求7所述的利用夹具的半导体制造用部件的制造装置,其中,所述夹具与所述接触部分的母材所形成的角度为95度至170度。

9.一种利用夹具的半导体制造用部件的制造装置,其中,

包括:

腔室;

原料气体喷嘴,从所述腔室外部向内部设置;

搭载部,在所述腔室的至少一侧,沿着所述腔室内部中央方向延伸设置;以及

能够更换的夹具,用于支撑与所述搭载部一端部连接设置的母材,

所述夹具中,与所述母材相接的面相连的剖面的至少一侧部凹陷地呈圆弧状,

其中,所述半导体制造用部件中,包括所述母材的至少一部分,包括覆盖所述夹具的至少一部分的蒸镀层。

10.一种用于制造半导体制造用部件的夹具,其中,对母材进行支撑,剖面呈锥形形状,沿着靠近所述母材的表面的方向,剖面的宽度增加,其中,在所述夹具和所述母材的接触部分,所述夹具与所述接触部分的母材所形成的角度为钝角,其中,所述半导体制造用部件中,包括所述母材的至少一部分,包括覆盖所述夹具的至少一部分的蒸镀层。

11.一种用于制造半导体制造用部件的夹具,其中,对母材进行支撑,与所述母材相接的面相连的剖面的至少一侧部呈圆弧状,其中,所述半导体制造用部件中,包括所述母材的至少一部分,包括覆盖所述夹具的至少一部分的蒸镀层。

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