[发明专利]使用夹具的半导体制造用部件制作方法及制造装置

说明书

本发明涉及在干式蚀刻工序中利用的半导体制造用部件的制造方法及用于其的夹具，本发明的利用夹具的半导体制造用部件的制造方法包括：准备母材的步骤；通过夹具支撑上述母材的至少一面的步骤；向通过上述夹具支撑的上述母材喷射原料气体来形成蒸镀层的步骤；以及对形成上述蒸镀层的上述母材进行加工的步骤，上述夹具的剖面呈锥形形状，沿着靠近上述母材的表面的方向，剖面的宽度增加。

技术领域

本发明涉及在干式蚀刻工序中使用的半导体制造用部件的制造方法及可用于其的夹具。

背景技术

通常，作为在半导体制造工序中使用的等离子处理工法、干式蚀刻工序中的一种，使用气体来对目标进行蚀刻的方法。向反应容器内注入蚀刻气体并进行离子化之后，向晶片(Wafer)表面加速，来以物理、化学去除晶片表面的工序。上述方法中，蚀刻的调节简单，生产性高，可形成数十nm水平的微细图案，从而广泛使用。

包括干式蚀刻装置内的聚焦环在内的多种半导体制造用部件在存在等离子的恶劣条件的反应容器内进行蚀刻处理，来使等离子集中在晶片周边，且部件自身也向等离子露出并被损伤。因此，持续进行用于增加半导体制造用部件的等离子特性的研究。作为其中的一种，研究代替Si材质，在半导体的聚焦环或电极等的部件形成由SiC材质形成的蒸镀层的方法。

此时，在母材形成蒸镀层的技术可很大程度影响半导体制造用部件的质量。以往，为了在母材均匀地形成蒸镀层，执行用于防止蒸镀层不均匀地形成的多种方式的蒸镀技术的研究。

现有技术在蒸镀腔室内，通过夹具支撑被蒸镀物或母材的状态下在全面执行蒸镀，因此，通过夹具支撑的面的蒸镀层的均匀性降低。尤其，在夹具呈角形或凹凸形态的情况下，通过夹具支撑的母材的附近，蒸镀物质不会被均匀地蒸镀(发生非蒸镀部)。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于，在利用CVD在半导体制造用部件形成蒸镀层的过程中，可解除在使用夹具的情况下可发生的蒸镀层的不均匀性。在本发明的一实施方式中，在利用夹具来形成蒸镀层的情况下形成的蒸镀层的蒸镀均匀度增加，产品的蒸镀层的质量可以提高。

但是，本发明所要解决的问题并不局限于上述提及的问题，本发明所属技术领域的普通技术人员可从以下的记载明确理解未提及的其他问题。

技术手段

本发明的利用夹具的半导体制造用部件的制造方法包括：准备母材的步骤；通过夹具支撑上述母材的至少一面的步骤；向通过上述夹具支撑的上述母材喷射原料气体来形成蒸镀层的步骤；以及对形成上述蒸镀层的上述母材进行加工的步骤，上述夹具的剖面呈锥形形状，沿着靠近上述母材的表面的方向，剖面的宽度增加。

根据本发明的一实施例，在上述夹具和上述母材的接触部分，上述夹具与上述接触部件的母材所形成的角度为钝角。

根据本发明的一实施例，上述夹具与上述接触部分的母材所形成的角度为95度至170度。

根据本发明的一实施例，上述夹具包含选自由石墨、炭黑及SiC组成的组中的至少一种。

根据本发明的一实施例，上述加工步骤为以包括上述母材的至少一部分并包括覆盖上述夹具的至少一部分的蒸镀层的方式进行切割的工序。

根据本发明的一实施例，上述母材包含选自由石墨、TaC、反应烧结SiC、常压烧结SiC、热压SiC、重结晶SiC及CVDSiC组成的组中的至少一种。

根据本发明的一实施例，上述母材及蒸镀层的厚度比例为1:1至100:1。

本发明的利用夹具的半导体制造用部件的制造方法包括：准备母材的步骤；通过夹具支撑上述母材的至少一面的步骤；向通过上述夹具支撑的上述母材喷射原料气体来形成蒸镀层的步骤；以及对形成上述蒸镀层的上述母材进行加工的步骤，上述夹具中，与上述母材相接的面相连的剖面的至少一侧部呈圆弧状。