[发明专利]半导体制造用部件、包括复合体涂层的半导体制造用部件及其制造方法有效

申请号：	201780076289.7	申请日：	2017-12-18
公开（公告）号：	CN110062951B	公开（公告）日：	2022-01-04
发明（设计）人：	金桢一	申请（专利权）人：	韩国东海碳素株式会社
主分类号：	H01L21/3065	分类号：	H01L21/3065;H01L21/02;H01L21/3213;H01J49/10;H01L21/56;H01L21/67
代理公司：	北京尚伦律师事务所 11477	代理人：	张俊国
地址：	韩国京畿***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体制造部件包括复合体涂层及其方法
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【权利要求书】：

1.一种半导体制造用部件，其中，具有包含SiC及C的复合体，在所述复合体中，Si:C原子比例为1:1.1至1:1.3，所述半导体制造用部件为包括选自聚焦环及导体组成的组中的至少一种的等离子处理装置部件，

其中所述复合体是通过化学气相蒸镀法(CVD)形成的。

2.如权利要求1所述的半导体制造用部件，其中，在所述复合体中，所述C存在于所述SiC之间。

3.如权利要求1所述的半导体制造用部件，其中，在所述复合体中，所述C为热分解碳。

4.一种包括复合体涂层的半导体制造部件，其中，

包括：

半导体制造用部件；以及

包含SiC及C的复合体涂层，形成于所述半导体制造用部件的至少一面，

在所述复合体中，Si:C原子比例为1:1.1至1:1.3，

所述半导体制造用部件为包括选自聚焦环及导体组成的组中的至少一种的等离子处理装置部件。

5.如权利要求4所述的包括复合体涂层的半导体制造部件，其中，所述半导体制造用部件包含石墨、SiC或同时包含两者。

6.如权利要求4所述的包括复合体涂层的半导体制造部件，其中，所述复合体涂层的平均厚度为1㎜至3㎜。

7.一种半导体制造用部件的制造方法，其中，包括通过利用Si前体源及C前体源的化学气相蒸镀法来在包含石墨、SiC或同时包含两者的母材形成包含SiC及C的复合体的步骤，在所述复合体中，Si:C原子比例为1:1.1至1:1.3，所述半导体制造用部件为包括选自聚焦环及导体组成的组中的至少一种的等离子处理装置部件。

8.如权利要求7所述的半导体制造用部件的制造方法，其中，形成所述包含SiC及C的复合体的步骤在1000℃至1900℃的温度下执行。

9.如权利要求7所述的半导体制造用部件的制造方法，其中，在形成所述包含SiC及C的复合体的步骤之前，包括混合Si前体及C前体的步骤。

10.一种包括复合体涂层的半导体制造用部件的制造方法，其中，包括：

准备半导体制造用部件的步骤；以及

通过利用Si前体及C前体的化学气相蒸镀法，在所述半导体制造用部件的至少一面形成包含SiC及C的复合体涂层的步骤，

在所述复合体中，Si:C原子比例为1:1.1至1:1.3，

所述半导体制造用部件为包括选自聚焦环及导体组成的组中的至少一种的等离子处理装置部件。

11.如权利要求10所述的包括复合体涂层的半导体制造用部件的制造方法，其中，所述半导体制造用部件包含石墨、SiC或同时包含两者。

12.如权利要求10所述的包括复合体涂层的半导体制造用部件的制造方法，其中，形成所述包含SiC及C的复合体涂层的步骤在1000℃至1900℃的温度下执行。

13.如权利要求10所述的包括复合体涂层的半导体制造用部件的制造方法，其中，在形成所述包含SiC及C的复合体涂层的步骤之前，包括混合Si前体及C前体的步骤。

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