[发明专利]半导体制造用部件、包括复合体涂层的半导体制造用部件及其制造方法

说明书

根据本发明的一实施例，本发明提供具有包含SiC及C的复合体，在上述复合体中，Si:C原子比例为1:1.1至1:2.8的半导体制造用部件。

技术领域

本发明涉及在干式蚀刻工序中，利用晶片(Wafer)等的基板来制造半导体组件的半导体制造用部件，包括复合体涂层的半导体制造用部件及其制造方法，更详细地，具有包含SiC及C的复合体的半导体制造用部件、包括复合体涂层的半导体制造用部件及其制造方法。

背景技术

通常，作为在半导体制造工序中使用的等离子处理工法、干式蚀刻工序中的一种，使用气体来对目标进行蚀刻的方法。向反应容器内注入蚀刻气体并进行离子化之后，向晶片表面加速，来以物理、化学去除晶片表面的工序。上述方法中，蚀刻的调节简单，生产性高，可形成数十nm水平的微细图案，从而广泛使用。

为了在等离子蚀刻中的均匀的蚀刻而需要考虑的参数(parameter)，需要蚀刻的层的厚度和密度、蚀刻气体的能量及温度、光刻胶的粘结性和晶片表面的状态及蚀刻气体的均匀性等。尤其，使蚀刻气体离子化，使离子化的蚀刻气体在晶片表面加速来执行蚀刻的原动力的高频(RF，Radio frequency)的调节可成为重要参数，并且，在实际蚀刻过程中，需要考虑直接切简单进行调节的参数。

但是，实际上，干式蚀刻装置内，以进行蚀刻的晶片为基准，需要适用具有对于晶片表面整体的均匀能量分布的均匀高频的适用，当适用这种高频时的均匀能量分布的适用无法仅通过高频的输出调节实现，为了解决这个问题，通过作为用于向晶片施加高频的高频电极的阶段和阳极氧化聚焦环的形状的半导体制造用部件来实现。

如上所述，为了延长设置于等离子蚀刻装置内的半导体制造用部件的寿命，代替Si材质，进行着对于制造SiC材质的聚焦环或电极等的部件的方法的研究。即便如此，若绝大多数的SiC材质的半导体制造用部件经过一段时间，则向等离子露出并被磨损，从而导致频频进行交替的问题。这会提高产品的生产成本，并降低市场性。因此，为了减少SiC材质部件的交替，进行着用于耐等离子性提高的多级研究。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于解决上述问题，本发明的目的在于，提供作为一例，具有包含SiC及C的复合体，在上述复合体中，调节Si:C原子比例，由此，确保更加优秀的耐等离子型的半导体制造用部件，包括复合体涂层的半导体制造用部件及其制造方法。

但是，本发明所要解决的问题并不局限于上述提及的问题，本发明所属技术领域的普通技术人员可从以下的记载明确理解未提及的其他问题。

技术手段

根据本发明的一实施例，本发明提供如下的半导体制造用部件，即，具有包含SiC及C的复合体，在上述复合体中，Si:C原子比例为1:1.1至1:2.8。

根据本发明的一实施例，在上述复合体中，Si:C原子比例为1:1.1至1:1.3。

根据本发明的一实施例，上述半导体制造用部件为包括选自聚焦环、电极部及导体组成的组中的至少一种的等离子处理装置部件。

根据本发明的一实施例，上述C存在于上述SiC之间。

根据本发明的一实施例，在上述复合体中，上述C为热分解碳。

根据本发明的一实施例，本发明提供包括复合体涂层的半导体制造用部件，上述包括复合体涂层的半导体制造用部件包括：半导体制造用部件；以及包含SiC及C的复合体涂层，形成于上述半导体制造用部件的至少一面，在上述复合体中，Si:C原子比例为1:1.1至1:2.8。

根据本发明的一实施例，在上述复合体中，Si:C原子比例为1:1.1至1:1.3。

根据本发明的一实施例，上述半导体制造用部件包含石墨、SiC或同时包含两者。