[发明专利]清洗单元

说明书

一种用于将清洗药液供给至清洗装置的清洗药液供给装置，具备：药液入口部及稀释水入口部；流体地连接于所述药液入口部及所述稀释水入口部的第一药液控制部；及流体地连接于所述药液入口部及所述稀释水入口部的第二药液控制部，所述第一药液控制部具有第一药液流量控制部、第一稀释水流量控制部及第一混合部，所述第二药液控制部具有第二药液流量控制部、第二稀释水流量控制部及第二混合部。

技术领域

本发明关于一种清洗药液供给装置、清洗单元、及储存有程序的存储媒介。

背景技术

CMP(化学机械研磨/Chemical Mechanical Polishing)装置具有：用于研磨形成有半导体芯片的半导体基板表面的研磨单元；及用于对研磨单元所研磨的半导体基板供给药液而进行清洗的清洗单元。该清洗单元通过在药液中混合DIW(去离子水/De-IonizedWater)等的稀释水，制作调整浓度后的药液，并使用该药液进行半导体基板的清洗。

专利文献1中记载有基板处理装置的清洗药液供给装置。该清洗药液供给装置具备：贮存用于处理基板的处理液的处理槽；及贮存须供给至处理槽的清洗药液的清洗药液槽，通过在从清洗药液槽至处理槽的配管中途设置作为节流阀的阻力部，来调整清洗药液的流量。

专利文献2中记载有以滚筒清洗构件摩擦清洗基板表面的清洗装置。该清洗装置将各个流路供给的清洗药液及DIW(去离子水/De-Ionized Water)从各个喷嘴供给至基板表面。

专利文献3中记载有具有清洗装置与清洗药液供给装置的清洗单元。该清洗单元以DIWCLC及药液CLC分别调整DIW及清洗药液的流量，再以混合器混合调整后的DIW和药液，并从该混合器将稀释后的药液供给至清洗装置的上面清洗部及下面清洗部。

专利文献4记载有具有清洗装置与清洗药液供给装置的清洗单元。该清洗单元在将第一药液供给至清洗装置时，是以DIWCLC及药液CLC分别调整DIW及药液的流量，并以混合器混合调整后的DIW及药液，将稀释后的药液供给至清洗装置。另外，将第二药液供给至清洗装置时，以DIWCLC及药液CLC分别调整DIW及药液的流量，并以混合器混合调整后的DIW及药液，将稀释后的药液供给至清洗装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-260332号公报

专利文献2：日本特开2014-132641号公报

专利文献3：日本特开2016-9818号公报

专利文献4：日本特开2016-15469号公报

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1至4中记载的构造无法独立控制供给至基板各面(例如上表面及下表面)的药液的流量及浓度。

此外，仅在基板各面的任何一方供给药液情况下，需要在清洗装置内的各流路设置开关阀，来控制药液的流通及阻断。

此外，近年来，进行对工厂内的多个装置从共同的供给源供给药液及/或DIW，依装置的设置场所，会有供给至清洗药液供给装置的药液及/或DIW的压力低的情况。因而，当对清洗药液供给装置供给药液及/或DIW的压力低时，在过去构造的清洗药液供给装置及清洗装置内的流路及构造的压损情况下，可能无法对基板供给充分流量的药液。

例如，过去的清洗单元对基板各面供给药液及/或DIW时，从共同流路至基板的各面侧使各个流路分歧，并在一方流路设置节流阀来调整流量。对清洗药液供给装置供给药液及/或DIW的压力低时，因在节流部分的压损可能无法对基板供给充分流量的药液。

本发明的目的为解决上述课题的至少一部分。