[发明专利]半导体发光纳米粒子

权利要求书

1.半导体发光纳米粒子，其包含核和至少一个壳层，其中所述半导体发光纳米粒子具有0.35或更小的自吸收值。

2.根据权利要求1的纳米粒子，其中所述核包含周期表第13族的一种元素和周期表第15族的一种元素。

3.根据权利要求1或2的纳米粒子，其中所述壳层包含周期表第12族的第一元素和周期表第16族的第二元素或由周期表第12族的第一元素和周期表第16族的第二元素组成。

4.根据权利要求1至3中任一项的纳米粒子，其中所述壳层由下式(II)表示，

ZnS_xSe_yTe_z-(II)

其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，并且x+y+z＝1。

5.根据权利要求1至4中一项或多项的纳米粒子，其中所述壳层是合金壳层或梯度壳层。

6.根据权利要求1至5中任一项的纳米粒子，其中所述半导体发光纳米粒子还包括在所述壳层上的第二壳层。

7.根据权利要求1至6中任一项的纳米粒子，其中所述壳与所述核之间的体积比为5或更大。

8.合成根据权利要求1至7中任一项的纳米粒子的方法，包括以下步骤(a)和(b)，

(a)通过任选在溶剂中提供至少第一和第二核前体制备核，

(b)任选在溶剂中提供步骤(a)中获得的核和至少第一阳离子和第一阴离子壳前体，以在核上形成壳层。

9.根据权利要求8的方法，其中步骤(b)在250℃或更高温度下进行，优选在250℃至350℃，更优选280℃至320℃的温度下进行。

10.根据权利要求8或9的方法，其中在步骤(b)中同时加入至少所述第一阴离子壳前体和第二阴离子壳前体。

11.根据权利要求8或9的方法，其中在步骤(b)中依次加入至少所述第一阴离子壳前体和第二阴离子壳前体。

12.可由权利要求8至11中任一项的方法获得或由权利要求8至11中任一项的方法获得的半导体发光纳米粒子。

13.组合物，其包含根据权利要求1至7、12中任一项的半导体发光纳米粒子和至少一种另外的材料或由根据权利要求1至7、12中任一项的半导体发光纳米粒子和至少一种另外的材料组成，

优选地，所述另外的材料选自有机发光材料，无机发光材料，电荷传输材料，散射粒子和基质材料。

14.制剂，其包含根据权利要求1至7、12中任一项的半导体发光纳米粒子或根据权利要求13的组合物和至少一种溶剂或由根据权利要求1至7、12中任一项的半导体发光纳米粒子或根据权利要求13的组合物和至少一种溶剂组成。

15.根据权利要求1至7、12中任一项的半导体发光纳米粒子，或根据权利要求13的组合物，或根据权利要求14的制剂在电子器件，光学器件或生物生物医学器械中的用途。

16.光学介质，其包含根据权利要求1至7、12中任一项的半导体发光纳米粒子或根据权利要求13的组合物。

17.光学器件，其包括根据权利要求16的所述光学介质。