[发明专利]半导体发光纳米粒子

说明书

本发明涉及半导体发光纳米粒子；合成半导体发光纳米粒子的方法；半导体发光纳米粒子的组合物、制剂和用途，光学介质；和光学器件。

发明领域

本发明涉及半导体发光纳米粒子；合成半导体发光纳米粒子的方法；半导体发光纳米粒子的组合物、制剂和用途，光学介质和光学器件。

背景技术

包含核和至少一个壳层的半导体发光纳米粒子在现有技术文献中是已知的。

例如，如在以下文献中所描述的：Hens等人，Chem.Materials，2015，27，4893-4898，Jeong等人，Applied Physics Letters，2012，101，7，073107，Char等人，ACS Nano，2016，10(4)，第4754–4762页，US 9109163 B2，ACS Nano，2013，7(10)，第9019–9026页，Chem.Mater.，2011，23(20)，第4459–4463页，以及WO 2016/146719 A1。

专利文献

1.US 9109163 B2

2.WO 2016/146719 A1

非专利文献

3.Hens等人，Chem.Materials，2015，27，4893-4898

4.Jeong等人，Applied Physics Letters，2012，101，7，073107，

5.Char等人，ACS Nano，2016，10(4)，第4754–4762页

6.ACS Nano，2013，7(10)，第9019–9026页

7.Chem.Mater.，2011，23(20)，第4459–4463页。

发明概述

然而，本发明人新近已经发现仍然存在一个或多个需要改进的相当大的问题，如下所列。

1.需要包含核和至少一个壳层的新的半导体发光纳米粒子，其具有较低自吸收值。

2.需要包含核和至少一个壳层的新的半导体发光纳米粒子，其具有改进的半导体发光纳米粒子的核和壳之间的体积比。

3.具有更好量子产率的包含核和至少一个壳层的新的半导体发光纳米粒子仍然需要改进。

4.需要合成包含核和至少一个壳层的半导体发光纳米粒子的新方法，其可以更精确地控制半导体发光纳米粒子的核和壳之间的体积比。

5.需要合成包含核和至少一个壳层的半导体发光纳米粒子的新方法，其也可以控制壳的结晶度。

6.需要包含核和至少一个高度结晶壳层的新的半导体发光纳米粒子。

本发明人旨在解决上述问题1至6中的一个或多个。

然后发现了新的半导体发光纳米粒子，其包含核和至少一个壳层，其中所述半导体发光纳米粒子具有0.35或更小的自吸收值，优选地，在0.30至0.01的范围内，更优选地，0.25至0.05，甚至更优选0.23至0.12的自吸收值。

另一方面，本发明涉及合成纳米粒子的方法，包括以下步骤(a)和(b)，