[发明专利]保护涂层

权利要求书

1.一种在基材上沉积保护涂层的方法，其中：

所述保护涂层包括(i)与所述基材接触的防潮层，其包括第一子层，可选地一个或多个中间子层，和最终子层，(ii)无机的机械保护层，和(iii)介于所述防潮层和所述机械保护层之间的梯度层；并且

所述方法包括：

(a)通过前体混合物(A)的等离子体沉积在所述基材上沉积所述防潮层的所述第一子层，所述前体混合物(A)包括有机硅化合物、氟代烃或式(X)化合物；

其中：

Z₁表示C₁-C₃烷基或C₂-C₃链烯基；

Z₂代表氢、C₁-C₃烷基或C₂-C₃链烯基；

Z₃表示氢、C₁-C₃烷基或C₂-C₃链烯基；

Z₄表示氢、C₁-C₃烷基或C₂-C₃链烯基；

Z₅表示氢、C₁-C₃烷基或C₂-C₃链烯基；和

Z₆代表氢、C₁-C₃烷基或C₂-C₃链烯基，

(b)如果存在，通过前体混合物(B)的等离子体沉积来沉积所述防潮层的所述一个或多个中间子层的每一个，所述前体混合物(B)包括有机硅化合物、氟代烃或式(X)化合物；

(c)通过前体混合物(C)的等离子体沉积来沉积所述防潮层的所述最终子层，所述前体混合物(C)包括有机硅化合物、氟代烃或式(X)化合物；

(d)通过前体混合物(D)的等离子体沉积在所述防潮层的所述最终子层上沉积所述梯度层，所述前体混合物(D)包括前体混合物(C)和(E)的所述组分；

(e)通过前体混合物(E)的等离子体沉积在所述梯度层上沉积所述机械保护层，所述前体混合物(E)包括有机硅化合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体沉积为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述等离子体沉积在0.001至10毫巴的压力下发生。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中可存在于所述前体混合物(A)至(E)中的任一种中的所述有机硅化合物独立地选自六甲基二硅氧烷(HMDSO)、四甲基二硅氧烷(TMDSO)、1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷(DVTMDSO)、六乙烯基二硅氧烷(HVDSO)烯丙基三甲基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷(ATMOS)、正硅酸乙酯(TEOS)、三甲基硅烷(TMS)、三异丙基硅烷(TiPS)、三乙烯基三甲基环三硅氧烷(V₃D₃)、四乙烯基四甲基环四硅氧烷(V₄D₄)、四甲基环四硅氧烷(TMCS)、八甲基环四硅氧烷(OMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDSN)、2,4,6-三甲基-2,4,6-三乙烯基环状三硅氮烷、二甲氨基三甲基硅烷(DMATMS)、双(二甲氨基)二甲基硅烷(BDMADMS)和三(二甲氨基)甲基硅烷(TDMAMS)。

5.根据权利要求4所述的方法，其中可存在于所述前体混合物(A)至(E)中的任一种中的所述有机硅化合物独立地选自六甲基二硅氧烷(HMDSO)和四甲基二硅氧烷(TMDSO)，并且优选为六甲基二硅氧烷(HMDSO)。