[发明专利]对准装置、对准方法、光刻装置和制造物品的方法有效
申请号: | 201780077390.4 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN110088878B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 芝山卓;古卷贵光 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B29C59/02;G01B11/00;G03F9/00;H01L21/68 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 杨小明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对准 装置 方法 光刻 制造 物品 | ||
1.一种对准原版和基板的对准装置,其特征在于,所述对准装置包括:
原版保持器,被配置为保持原版;
基板保持器,被配置为保持基板;以及
测量设备,包括照射器并且被配置为测量原版和基板之间的位置偏差,照射器照射布置在原版和原版保持器之一中的用于粗略测量的第一原版侧标记和用于精细测量的第二原版侧标记、以及布置在基板和基板保持器之一中的用于粗略测量的第一基板侧标记和用于精细测量的第二基板侧标记,
其中,测量设备通过使照射器在第一条件下照射第一原版侧标记和第一基板侧标记、基于来自第一原版侧标记和第一基板侧标记的光束进行粗略测量,并且通过使照射器在第二条件下照射第二原版侧标记和第二基板侧标记、基于来自第二原版侧标记和第二基板侧标记的光束进行精细测量,
其中,第一条件是从要由照射器发射的光的波长选择波长以使得来自第一原版侧标记的光量和来自第一基板侧标记的光量之间的差异在允许的范围内的条件,并且
其中,第二条件是从要由照射器发射的光的波长选择波长以使得来自第二原版侧标记和第二基板侧标记的光量大的条件。
2.根据权利要求1所述的对准装置,其特征在于,当粗略测量的结果指示位置偏差落在精细测量的测量范围内时,测量设备转移到精细测量。
3.根据权利要求1所述的对准装置,其特征在于,照射器包括发射具有不同波长的光束的多个光源,并且
测量设备通过调整来自所述多个光源中的每个光源的输出在第一条件和第二条件之间切换。
4.根据权利要求3所述的对准装置,其特征在于,所述多个光源包括输出具有不同波长的光束的多个半导体激光器。
5.根据权利要求1所述的对准装置,其特征在于,照射器包括光源和波长选择器,波长选择器将从透射具有不同波长的光束的多个波长滤波器中选择的波长滤波器布置到光源和原版之间的光路上,并且
测量设备通过选择所述多个波长滤波器在第一条件和第二条件之间切换。
6.根据权利要求1或2所述的对准装置,其特征在于,测量设备包括成像设备并基于由成像设备捕获的图像进行粗略测量和精细测量,成像设备通过在视场中包含第一原版侧标记、第一基板侧标记、第二原版侧标记和第二基板侧标记来捕获第一原版侧标记、第一基板侧标记、第二原版侧标记和第二基板侧标记的图像。
7.根据权利要求1或2所述的对准装置,其特征在于,粗略测量是基于第一原版侧标记与第一基板侧标记之间的距离来测量原版和基板的相对位置。
8.根据权利要求7所述的对准装置,其特征在于,第二原版侧标记和第二基板侧标记包括具有光栅图案的衍射光栅,所述光栅图案具有彼此不同的光栅节距,并且
精细测量是通过使用当第二原版侧标记和第二基板侧标记重叠时产生的莫尔条纹来测量原版和基板的相对位置。
9.根据权利要求8所述的对准装置,其特征在于,其中第二条件是从要由照射器发射的光的波长选择波长以使得莫尔条纹的光量大的条件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造