[发明专利]SiC锭的制造方法有效
| 申请号： | 201780078707.6 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN110088363B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 藤川阳平;上东秀幸 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
1.一种SiC锭的制造方法，
包括采用升华法使晶体在相对于{0001}面具有2°以上且8°以下的偏离角的主面上生长的晶体生长工序，
至少在所述晶体生长工序的所述晶体从所述主面生长了7mm之后的后半生长工序中，
设定等温面以使得倾斜面与所述{0001}面所成的锐角为大于或等于比偏离角小2°的角度且小于或等于8.6°来使晶体生长，所述倾斜面是与沿着偏离方向切割的切割截面垂直且通过晶体生长面的中心和晶体生长面的偏离下游端部这两者的面。
2.根据权利要求1所述的SiC锭的制造方法，
在所述晶体生长工序的全部晶体生长过程中，使所述锐角为大于或等于比偏离角小2°的角度且小于或等于8.6°。
3.根据权利要求1所述的SiC锭的制造方法，
所述偏离角为小于或等于4°。
4.根据权利要求2所述的SiC锭的制造方法，
所述偏离角为小于或等于4°。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的SiC锭的制造方法，
在所述晶体生长工序的所述后半生长工序中，使所述锐角的角度变化为3°以内。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的SiC锭的制造方法，
在所述晶体生长工序的所述后半生长工序中，偏离下游侧的晶体生长和偏离上游侧的晶体生长相对于通过晶体生长面的中心且与所述切割截面正交的面对称。
7.根据权利要求5所述的SiC锭的制造方法，
在所述晶体生长工序的所述后半生长工序中，偏离下游侧的晶体生长和偏离上游侧的晶体生长相对于通过晶体生长面的中心且与所述切割截面正交的面对称。
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