[发明专利]SiC锭的制造方法

说明书

提供一种SiC锭的制造方法。在该SiC锭的制造方法中，包括使晶体在相对于{0001}面具有偏离角的主面上生长的晶体生长工序，至少在所述晶体生长工序的所述晶体从所述主面生长7mm以上后的后半生长工序中，使倾斜面与所述{0001}面所成的锐角为大于或等于比偏离角小2°的角度且小于或等于8.6°，该倾斜面是与沿着偏离方向切割的切割截面垂直且通过晶体生长面的中心和晶体生长面的偏离下游端部这两者的面。

技术领域

本发明涉及SiC锭的制造方法。

本申请基于2016年12月26日在日本提出申请的特愿2016-251169号要求优先权，在此援引其内容。

背景技术

与硅(Si)相比，碳化硅(SiC)的绝缘击穿电场大一个数量级，带隙大3倍。另外，与硅(Si)相比，碳化硅(SiC)具有热导率高3倍左右等特性。碳化硅(SiC)被期待着应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。

在SiC晶片上形成了外延膜的SiC外延晶片被使用于半导体等的器件。在SiC晶片上通过化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition：CVD)设置的外延膜成为SiC半导体器件的活性区域。

因此，要求没有裂纹等破损、缺陷少的高品质SiC晶片。此外，在本说明书中，SiC外延晶片是指形成外延膜后的晶片，SiC晶片是指形成外延膜前的晶片。

例如在专利文献1中记载了如下内容：进行晶体生长以使得在将所生长的SiC单晶的底面的长径设为D、将连结其底面与顶点的垂线的长度设为H时，满足(H/D)≥0.1，抑制SiC晶片的破损、多晶和/或多型的混入以及微管缺陷(micropipe defects)的产生。

另外，专利文献2记载了如下内容：通过在进行中央部比外缘部突出的凸状生长之后，进行中央部比外缘部凹陷的凹状生长，能够抑制SiC锭的裂纹、歪斜。由于SiC晶片是通过对SiC锭进行切片而获得的，因此，SiC锭是SiC晶片的前阶段。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2003-095794号公报

专利文献2：日本特开2011-219294号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

作为SiC晶片的致命缺陷之一，具有基底面位错(BPD)。基底面位错是沿着{0001}面产生的缺陷。在具有偏离角(offset angle)的SiC晶片中，有时大量的BPD呈列状排列存在。

产生基底面位错的主要因素有各种各样，但通常认为在缓和在SiC锭的生长过程中产生的歪斜时在基底面产生的滑移是产生呈列状存在的基底面位错的集合的原因之一。以下，将该呈列状存在的基底面位错群表述为“滑移带(slip band)”。产生了滑移带的SiC晶片由于其固有的会引起器件不良的主要因素，因此，无法用于接下来的工序。

然而，即使使用抑制应力的产生地使SiC单晶生长的专利文献1以及2所记载的方法，也无法充分地抑制基底面位错的产生。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够抑制滑移带的产生、进而能够减少基底面位错的产生的SiC锭的制造方法。

用于解决问题的技术方案

本发明人进行了深入研究，结果发现了能够获得通过使晶体生长过程按照预定条件进行而能够抑制滑移带的产生、进而能够减少基底面位错的产生的SiC锭的制造方法。

即，本发明为了解决上述技术问题，提供以下的技术方案。