[发明专利]III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体基板，

具备：

具有半极性面作为主表面的蓝宝石基板，和

位于所述主表面上的III族氮化物半导体层，

并且在与所述主表面垂直的方向上的俯视图中，所述蓝宝石基板的0002方向和所述III族氮化物半导体层的10-10方向不正交，

所述主表面是在{10-10}面与a面平行的方向上以大于0.0°且10.5°以下的范围内的任意角度倾斜的面，

所述III族氮化物半导体层具有从-C面朝-a面方向倾斜了38.0°以上且53.0°以下并且朝m面方向倾斜了-16.0°以上且16.0°以下的半极性面作为露出面。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体基板，其中，

在所述III族氮化物半导体层之上，还具有膜厚50μm以上且1000μm以下的III族氮化物半导体层。

3.一种III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

具有：

准备III族氮化物半导体基板的准备工序，所述III族氮化物半导体基板具备具有半极性面作为主表面的蓝宝石基板和位于所述主表面上的III族氮化物半导体层，并且在与所述主表面垂直的方向上的俯视图中，所述蓝宝石基板的0002方向和所述III族氮化物半导体层的10-10方向不正交；和

使III族氮化物半导体在所述III族氮化物半导体层之上外延生长的生长工序，

所述准备工序具有：

准备蓝宝石基板的蓝宝石基板准备工序，所述蓝宝石基板的所述主表面是在{10-10}面与a面平行的方向上以大于0.0°且10.5°以下的范围内的任意角度倾斜的面；

一边进行氮化处理一边加热所述蓝宝石基板的加热工序；

在所述加热工序之后，在所述蓝宝石基板上不供给NH₃而供给任意包含Al、Ti、Cu、V的气体的前工序；

在所述前工序之后，在所述主表面上形成缓冲层的缓冲层形成工序；和

在所述缓冲层之上，形成III族氮化物半导体层的III族氮化物半导体层形成工序，

在所述缓冲层形成工序中，在800℃以上且950℃以下的生长温度下，形成所述缓冲层。

4.如权利要求3所述的III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

在所述生长工序中，在所述III族氮化物半导体层之上，形成膜厚50μm以上且1000μm以下的III族氮化物半导体层。

5.一种III族氮化物半导体基板的制造方法，其中，

具有：

准备蓝宝石基板的蓝宝石基板准备工序，所述蓝宝石基板的主表面是在{10-10}面与a面平行的方向上以大于0.0°且10.5°以下的范围内的任意角度倾斜的面；

一边进行氮化处理一边加热所述蓝宝石基板的加热工序；

在所述加热工序之后，在所述蓝宝石基板上不供给NH3而供给任意包含Al、Ti、Cu、V的气体的前工序；

在所述前工序之后，在所述主表面上形成缓冲层的缓冲层形成工序；和

在所述缓冲层之上，形成III族氮化物半导体层的III族氮化物半导体层形成工序，

在所述缓冲层形成工序中，在800℃以上且950℃以下的生长温度下，形成所述缓冲层。