[发明专利]III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法

说明书

本发明的III族氮化物半导体基板的制造方法，具有：准备III族氮化物半导体基板的准备工序(S10)，和使III族氮化物半导体在III族氮化物半导体层上外延生长的生长工序(S20)。所述III族氮化物半导体基板，具备：具有半极性面作为主表面的蓝宝石基板，和位于该主表面上的III族氮化物半导体层，并且在与该主表面垂直的方向上的俯视图中，蓝宝石基板的0002方向和III族氮化物半导体层的10‑10方向不正交。

技术领域

本发明涉及一种III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制 造方法。

背景技术

相关技术公开于专利文献1和专利文献2。如专利文献1和专利文献2 中公开的，在III族氮化物半导体晶体的c面上形成设备(例：光设备、电 子设备等)的情况下，压电电场会引起内部量子效率降低。因此，尝试在所 谓的半极性面(不同于极性面和非极性面的面)上形成设备。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-160755号公报；

专利文献2：日本特开2016-12717号公报。

发明内容

发明要解决的课题

本发明人们新发现了，在使III族氮化物半导体在蓝宝石基板与具有半 极性面作为露出面的III族氮化物半导体层层积而成的基板的该露出面上进 行厚膜生长的情况下，存在III族氮化物半导体层产生裂纹并由此引起从蓝 宝石基板剥离的情况。根据情况的不同，蓝宝石基板侧也可能产生裂纹。

本发明的课题是提供一种用于使III族氮化物半导体在蓝宝石基板与具 有半极性面作为露出面的III族氮化物半导体层层积而成的基板的该露出面 上进行厚膜生长的新技术。

解决课题的技术方案

根据本发明，提供一种III族氮化物半导体基板，其中，

具备：

具有半极性面作为主表面的蓝宝石基板，和

位于所述主表面上的III族氮化物半导体层，

并且在与所述主表面垂直的方向上的俯视图中，所述蓝宝石基板的 0002方向和所述III族氮化物半导体层的10-10方向不正交。

另外，根据本发明，提供一种III族氮化物半导体基板的制造方法，其 中，

具有：

准备III族氮化物半导体基板的准备工序，所述III族氮化物半导体基板 具备具有半极性面作为主表面的蓝宝石基板和位于所述主表面上的III族氮 化物半导体层，并且在与所述主表面垂直的方向上的俯视图中，所述蓝宝石 基板的0002方向和所述III族氮化物半导体层的10-10方向不正交；和

使III族氮化物半导体在所述III族氮化物半导体层之上外延生长的生长 工序。

另外，根据本发明，提供一种III族氮化物半导体基板的制造方法，其 中，

具有：

准备蓝宝石基板的蓝宝石基板准备工序，所述蓝宝石基板的主表面是在 使{10-10}面与a面平行的方向上以大于0.0°且10.5°以下的范围内的任意 的角度倾斜的面；

一边进行氮化处理一边加热所述蓝宝石基板的加热工序；

在所述加热工序之后，在所述蓝宝石基板上不供给NH₃而供给任意包含 Al、Ti、Cu、V的气体的前工序；

在所述前工序之后，在所述主表面上形成缓冲层的缓冲层形成工序；和