[发明专利]半导体激光模块有效
申请号: | 201780078795.X | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN110088997B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 有贺麻衣子;稻叶悠介;山冈一树 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
主分类号: | H01S5/0683 | 分类号: | H01S5/0683 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王亚爱 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 激光 模块 | ||
半导体激光模块具备:半导体激光元件、入射从所述半导体激光元件出射的激光并对入射的激光进行放大的半导体光放大器、和为了监视从所述半导体激光元件出射的激光的波长而测定该激光的一部分的强度的第1受光元件,所述半导体光放大器被配置于比所述第1受光元件的受光面更靠后方的位置。由此,减少到达用于对从半导体激光元件出射的激光进行监视的受光元件的杂散光。
技术领域
本发明涉及半导体激光模块。
背景技术
以往,在作为光通信用的光源使用的半导体激光模块中广泛采用如下结构:由半导体光放大器(SOA)对由半导体激光元件(LD)振荡出的激光进行放大,使从半导体激光模块输出的激光高输出化。此时,一般情况下广泛采用将半导体激光元件与半导体光放大器集成在同一元件(例如参照专利文献1~4)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2006-216791号公报
专利文献2:JP特开2006-216695号公报
专利文献3:美国专利第9054480号说明书
专利文献4:国际公开2013/180291号
发明内容
-发明要解决的课题-
但是,近年来对光通信中的高输出化的要求越来越高,向半导体激光元件以及半导体光放大器提供的电流也在增大。其结果,来自半导体激光元件以及半导体光放大器的发热量也增大,对将半导体激光元件和半导体光放大器分离来进行温度控制的半导体激光模块的结构的需要也在提高。如果将半导体激光元件与半导体光放大器分离,由另外的热电元件进行温度控制,会带来将热电元件的温度调节中使用的耗电的总和抑制得较低。
另一方面,随着高输出化,半导体激光模块内的杂散光的问题也提高。若半导体激光模块内的杂散光的强度变高,则从半导体激光元件出射的激光的监视器中包含因杂散光引起的噪声,会阻碍正确的控制。并且,在将半导体激光元件与半导体光放大器分离的结构中,从半导体光放大器辐射的杂散光成为特别大的问题。这是因为:由于高输出化而从半导体光放大器辐射的放大自发辐射光增大,并且从分离配置的半导体光放大器辐射的放大自发辐射光未被其他的构造物遮挡而成为杂散光。
本发明是鉴于上述情况而提出的,其目的在于提供一种能够降低到达用于对从半导体激光元件出射的激光进行监视的受光元件的杂散光的半导体激光模块。
-解决课题的手段-
为了解决上述课题并达成目的,本发明的一方式所涉及的半导体激光模块的特征在于,具备:半导体激光元件;半导体光放大器,入射从所述半导体激光元件出射的激光,对入射的激光进行放大;和第1受光元件,为了监视从所述半导体激光元件出射的激光的波长而测定该激光的一部分的强度,所述半导体光放大器被配置于比所述第1受光元件的受光面更靠后方的位置。
此外,本发明的一方式所涉及的半导体激光模块的特征在于,在所述半导体激光元件与所述半导体光放大器之间,配置准直透镜和聚光透镜,从所述半导体激光元件出射的激光经由所述准直透镜和所述聚光透镜而空间耦合至所述半导体光放大器的波导的入射端。
此外,本发明的一方式所涉及的半导体激光模块的特征在于,所述第1受光元件获取强度的激光是由配置于所述准直透镜与所述聚光透镜之间的第1分束器进行分支而得到的激光。
此外,本发明的一方式所涉及的半导体激光模块的特征在于,所述第1受光元件获取强度的激光是将由所述第1分束器分支的激光进一步由第2分束器进行分支而得到的激光。
此外,本发明的一方式所涉及的半导体激光模块的特征在于,所述第1受光元件获取强度的激光被所述第1分束器以及所述第2分束器反射之后入射至所述第1受光元件。
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