[发明专利]激光照射装置、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法在审
申请号: | 201780079804.7 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN110114855A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 水村通伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华;洪秀川 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 投影透镜 投影掩模 激光照射装置 非晶硅薄膜 激光 玻璃基板 方向平行 开口部 图案 方向移动 区域照射 粘附 光源 照射 配置 制造 | ||
1.一种激光照射装置,其特征在于,具备:
光源,其产生激光;
投影透镜,其对非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光,所述非晶硅薄膜分别粘附于沿规定方向移动的玻璃基板上的多个薄膜晶体管;以及
投影掩模图案,其设于所述投影透镜上,具有分别包含规定数量的开口部的多个列、即与所述规定方向平行设置的多个列,
所述投影透镜经由所述投影掩模图案而照射所述激光,
所述投影掩模图案的所述规定数量的开口部的至少一部分在各个所述多个列中,未被配置在与所述规定方向平行的一条直线上。
2.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影掩模图案的所述规定数量的各个开口部在各个所述多个列中,被配置在具有规定周期的规定波形上。
3.根据权利要求1或2所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影掩模图案的所述规定数量的各个开口部在各个所述多个列中,被配置在大致正弦波上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影透镜为微透镜阵列,所述微透镜阵列具有分别包含规定数量的微透镜的多个列、即与所述规定方向平行设置的多个列,
所述微透镜阵列的所述规定数量的微透镜的至少一部分在各个所述多个列中,未被配置在与所述规定方向平行的一条直线上。
5.根据权利要求4所述的激光照射装置,其特征在于,
所述微透镜阵列的所述规定数量的各个微透镜在各个所述多个列中,被配置在具有规定周期的规定波形上。
6.根据权利要求4或5所述的激光照射装置,其特征在于,
所述微透镜阵列的所述规定数量的各个微透镜在各个所述多个列中,被配置在大致正弦波上。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
在所述微透镜阵列中,包含于所述一列中且相互相邻的微透镜相互错开规定的距离地配置,
所述规定的距离是在所述玻璃基板配置有所述非晶硅薄膜的间隔的自然数倍数。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述光源对于所述玻璃基板上的一列所包含的非晶硅薄膜反复照射规定的次数的、使用了所述微透镜阵列的激光。
9.根据权利要求8所述的激光照射装置,其特征在于,
所述光源每次对于所述玻璃基板上的一列所包含的非晶硅薄膜反复照射激光时,使所述微透镜阵列向与所述一列正交的方向移动所述规定波形的规定的相位量。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影透镜向粘附于薄膜晶体管所包含的源电极与漏电极之间的非晶硅薄膜的规定的区域照射激光,从而形成多晶硅薄膜。
11.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括:
第一步骤,在该第一步骤中,产生激光;以及
第二步骤,在该第二步骤中,对非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光,所述非晶硅薄膜分别粘附于沿规定方向移动的玻璃基板上的多个薄膜晶体管,
在第二步骤中,使用投影掩模图案照射所述激光,所述投影掩模图案设于所述投影透镜上,具有分别包含规定数量的开口部的多个列、即与所述规定方向平行设置的多个列,
所述投影掩模图案的所述规定数量的开口部的至少一部分在各个所述多个列中,未被配置在与所述规定方向平行的一条直线上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造