[发明专利]激光照射装置、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法

说明书

玻璃基板包含的多个薄膜晶体管的特性有可能产生偏差。本发明的一个实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其对非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光，该非晶硅薄膜分别粘附于沿规定方向移动的玻璃基板上的多个薄膜晶体管；以及投影掩模图案，其设置于该投影透镜上，具有分别包含规定数量的开口部的多个列、即与该规定方向平行设置的多个列，该投影透镜经由该投影掩模图案而照射该激光，该投影掩模图案的该规定数量的开口部的至少一部分在各个该多个列中未被配置在与该规定方向平行的一条直线上。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管的形成，特别是涉及向薄膜晶体管上的非晶硅薄膜照射激光而用于形成多晶硅薄膜的激光照射装置、薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法。

背景技术

作为反参差结构的薄膜晶体管，存在有将非晶硅薄膜使用于沟道区域的结构。不过，非晶硅薄膜由于电子迁移率小，因此如果将该非晶硅薄膜使用于沟道区域，则存在薄膜晶体管中的电荷的迁移率减小这样的难点。

因此，存在有如下的技术：将非晶硅薄膜的规定的区域通过利用激光瞬间地加热而进行多晶体化，形成电子迁移率较高的多晶硅薄膜，从而将该多晶硅薄膜使用于沟道区域。

例如，专利文献1公开了如下技术：在沟道区域形成非晶硅薄膜，然后，向该非晶硅薄膜照射准分子激光器等的激光来进行激光退火，由此通过短时间内的熔融凝固，来进行使多晶硅薄膜晶体化的处理。专利文献1记载了如下内容：通过进行该处理，能够使薄膜晶体管的源极与漏极间的沟道区域成为电子迁移率较高的多晶硅薄膜，从而能够实现晶体管动作的高速化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016－100537号公报

发明内容

发明的概要

发明要解决的课题

在专利文献1记载的薄膜晶体管中，源极与漏极间的沟道区域由一处(一个)多晶硅薄膜形成。因此，薄膜晶体管的特性依赖于一处(一个)多晶硅薄膜。

在此，准分子激光器等的激光的能量密度在其每次照射(发射)时都产生偏差，因此使用该激光而形成的多晶硅薄膜的电子迁移率也会产生偏差。因此，使用该多晶硅薄膜而形成的薄膜晶体管的特性也依赖于激光的能量密度的偏差。

其结果是，玻璃基板所包含的多个薄膜晶体管的特性可能会产生偏差。

本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于提供能够抑制玻璃基板所包含的多个薄膜晶体管的特性的偏差的激光照射装置、薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法。

用于解决技术课题的技术方案

本发明的一个实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其对非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光，所述非晶硅薄膜分别粘附于沿规定方向移动的玻璃基板上的多个薄膜晶体管；以及投影掩模图案，其设于该投影透镜上，为分别包含规定数量的开口部的多个列、即具有与该规定方向平行设置的多个列，该投影透镜经由该投影掩模图案而照射该激光，该投影掩模图案的该规定数量的开口部的至少一部分分别在该多个列中，未被配置在与该规定方向平行的一条直线上。

本发明的一个实施方式的激光照射装置的特征在于，该投影掩模图案的该规定数量的各个开口部分别在该多个列中，被配置在具有规定周期的规定波形上。

本发明的一个实施方式的激光照射装置的特征在于，该投影掩模图案的该规定数量的各个开口部分别在该多个列中，被配置在大致正弦波上。