[发明专利]用于光刻胶层中场引导酸轮廓控制的设备有效
申请号: | 201780080204.2 | 申请日: | 2017-11-07 |
公开(公告)号: | CN110114854B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 卢多维克·戈代;克里斯汀·Y·欧阳;维加斯拉夫·巴巴扬 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光刻 中场 引导 轮廓 控制 设备 | ||
1.一种用于处理基板的设备,包含:
腔室主体,具有侧壁且界定处理容积,其中所述处理容积的长轴线垂直地定向,且所述处理容积的短轴线水平地定向;
可移动的门,耦接到所述腔室主体;
真空卡盘,耦接到所述门;
滑动密封件,耦接到所述腔室主体的侧壁并至少部分地界定所述处理容积的一部分;
多个可移动电极,与所述真空卡盘相对而设置在所述处理容积中,所述多个可移动电极适于产生平行于所述处理容积的所述长轴线的电场;
多个轴,从所述多个可移动电极延伸,所述轴延伸穿过所述滑动密封件;及
马达,耦接到所述多个轴。
2.如权利要求1所述的设备,进一步包含:
背板,设置在所述真空卡盘和所述门之间。
3.如权利要求1所述的设备,其中所述可移动电极由一种或更多种金属材料制成。
4.如权利要求1所述的设备,其中所述可移动电极由碳化硅材料制成。
5.如权利要求1所述的设备,其中所述可移动电极由含石墨材料制成。
6.如权利要求1所述的设备,其中所述可移动电极被成形为棒并具有圆形截面。
7.如权利要求1所述的设备,进一步包含:
多个第一流体端口,形成在所述腔室主体的所述侧壁中,其中所述多个第一流体端口与第一导管流体连通。
8.如权利要求7所述的设备,进一步包含:
多个第二流体端口,形成在所述腔室主体的所述侧壁中,其中所述多个第二流体端口经由第二导管与流体出口流体连通。
9.如权利要求8所述的设备,其中所述多个第二流体端口沿着所述处理容积的所述长轴线与所述多个第一流体端口相对而设置。
10.如权利要求1所述的设备,其中所述滑动密封件是滑动真空密封件。
11.如权利要求10所述的设备,其中所述滑动真空密封件包含多个弹性体垫圈。
12.如权利要求1所述的设备,其中耦接到所述多个轴的所述马达可操作以平行于所述处理容积的所述长轴线移动所述电极。
13.如权利要求1所述的设备,进一步包含:
旋转马达,耦接到所述真空卡盘。
14.如权利要求2所述的设备,进一步包含:
旋转马达,耦接到所述背板。
15.如权利要求1所述的设备,进一步包含:
加热元件,设置在所述真空卡盘中。
16.如权利要求1所述的设备,其中所述多个轴的至少一部分设置在与所述处理容积相对设置的空腔中,其中所述空腔由所述侧壁和所述腔室主体界定。
17.一种用于处理基板的设备,包含:
腔室主体,具有侧壁且界定处理容积;
多个第一流体端口,形成在所述腔室主体的所述侧壁中;
多个第二流体端口,与所述多个第一流体端口相对而形成在所述腔室主体的所述侧壁中;
可移动的门,耦接到所述腔室主体;
真空卡盘,耦接到所述门;
滑动密封件,耦接到所述腔室主体的侧壁并至少部分地界定所述处理容积的一部分;
多个可移动电极,与所述真空卡盘相对而设置在所述处理容积中;
多个轴,从所述多个电极延伸,所述轴延伸穿过所述滑动密封件;及
马达,耦接到所述多个轴。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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