[发明专利]用于光刻胶层中场引导酸轮廓控制的设备

说明书

本文描述的实施方式涉及用于处理基板的设备和方法。更特定地，提供了一种具有可移动电极的处理腔室，可移动电极用于在填充有流体的处理容积内产生平行场。在一个实施方式中，处理腔室的长轴线垂直地定向，且基板支撑件与沿着处理腔室的长轴线延伸的多个可移动电极相对设置。在某些实施方式中，基板支撑件是电浮动的且能够在处理基板期间围绕处理腔室的短轴线旋转。

技术领域

本公开内容的实施方式大体涉及用于处理基板的设备。更特定地，本文描述的实施方式涉及处理其上设置有光刻胶层的基板的设备。

背景技术

集成电路已经发展成可在单个芯片上包括数百万个部件(例如，晶体管、电容器和电阻器)的复杂装置。光刻可用于在芯片上形成部件。通常光刻的处理涉及几个阶段。首先，在基板上形成光刻胶层。光刻胶层可通过(例如)旋涂而形成。化学放大光刻胶可包括抗蚀剂树脂(resist resin)和光酸产生剂。光酸产生剂在随后的曝光阶段中曝露于电磁辐射时会改变光刻胶在显影处理中的溶解度。电磁辐射可具有任何合适的波长，诸如极紫外区域中的波长。电磁辐射可来自任何合适的源，诸如例如193nm的ArF激光器、电子束、离子束或其他源。接着可在曝光前烘烤处理中移除过量的溶剂。

在曝光阶段，可使用光掩模或掩模版来选择性地将设置在基板上的光刻胶层的某些区域曝露于电磁辐射。其他曝光方法可为无掩模曝光方法。曝光可分解光酸产生剂，光酸产生剂产生酸并在抗蚀剂树脂中产生潜酸图像(latent acid image)(至少部分由“潜像线(latent image line)”界定)。在曝光之后，基板可在曝光后烘烤处理中被加热。在曝光后烘烤处理期间，光酸产生剂产生的酸与光刻胶层中的抗蚀剂树脂发生反应，从而改变在后续的显影处理期间光刻胶层的抗蚀剂的溶解度。

在曝光后烘烤之后，可使基板及特别是光刻胶层显影并对其进行清洗。在显影和清洗之后，接着在基板上形成图案化的光刻胶层，以便经由各种蚀刻处理将图案转印到被图案化的光刻胶层中的开口所曝露的下面的材料层。然而，光刻曝光处理的不准确控制或低分辨率可能导致光刻胶层形成有非期望的尺寸，诸如不可接受的线宽粗糙(LWR)。此外，在曝光处理期间，由光酸产生剂产生的酸可能随机地扩散，包括扩散到掩模下不希望扩散酸的区域。这种不希望的扩散可能在图案化的光刻胶层与开口的界面处产生非期望的摆动及/或非期望的粗糙轮廓。光刻胶层的线宽粗糙(LWR)和非期望的轮廓可能导致向下面的材料层的不准确的特征转印，这可能导致装置失效及/或产率损失。

因此，对用于改进光刻胶层中的轮廓控制的设备和方法存在需求。

发明内容

在一个实施方式中，提供了一种用于处理基板的设备。所述设备包括腔室主体，所述腔室主体具有侧壁且界定处理容积。处理容积的长轴线垂直地定向，且处理容积的短轴线水平地定向。可移动的门耦接到腔室主体，真空卡盘耦接到门，且滑动密封件耦接到腔室主体的侧壁并至少部分地界定处理容积的一部分。多个可移动电极与真空卡盘相对而设置在处理容积中，且多个轴从多个电极延伸。所述轴延伸穿过滑动密封件，且马达耦接到多个轴。

在另一个实施方式中，提供了一种用于处理基板的设备。所述设备包括：腔室主体，具有侧壁且界定处理容积；多个第一流体端口，形成在腔室主体的侧壁中；及多个第二流体端口，与多个第一流体端口相对而形成在腔室主体的侧壁中。所述设备还包括：可移动的门，耦接到腔室主体；真空卡盘，耦接到所述门；滑动密封件，耦接到腔室主体的侧壁并至少部分地界定处理容积的一部分。另外，所述设备包括：多个可移动电极，与真空卡盘相对而设置在处理容积中；多个轴，从多个电极延伸且所述轴延伸穿过滑动密封件；及马达，耦接到多个轴。