[发明专利]摄像面板及其制造方法

说明书

提供能提高生产性的X射线摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像。摄像面板(1)在基板(101)上具有有源区域和端子区域。在有源区域中具备：薄膜晶体管；第1绝缘膜，其设置于薄膜晶体管之上；光电转换元件，其设置于第1绝缘膜之上；第2绝缘膜，其分开配置于光电转换元件的上层，具有接触孔；以及导电膜，其经由接触孔与上述光电转换元件连接。光电转换元件包含光电转换层，该光电转换层包含第1半导体层、本征非晶质半导体层以及第2半导体层。端子区域具备：第1导电层(100)，其包括与薄膜晶体管的栅极电极或源极电极相同的材料；端子用第1绝缘膜(103)，其包括与第1绝缘膜相同的材料，在第1导电层(110)的一部分之上分开设置，具有开口；端子用半导体层(1501)，其设置于端子用第1绝缘膜(103)之上，包括与光电转换层的至少一部分半导体层相同的材料；以及第2导电层(1702)，其设置于端子用半导体层(1501)之上，包括与上述导电膜相同的材料，在端子用第1绝缘膜(103)的开口中与第1导电层(100)连接。

技术领域

本发明涉及摄像面板及其制造方法。

背景技术

已知通过具备多个像素部的摄像面板来拍摄X射线图像的X射线摄像装置。在这种X射线摄像装置中，例如通过光电二极管将被照射的X射线转换为电荷。转换后的电荷是通过使像素部所具备的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：以下也称为“TFT”。)动作而被读出。通过这样读出电荷，可得到X射线图像。在特开2013-46043号公报中公开了这种摄像面板。特开2013-46043号公报中的光电二极管具有将n层、i层、p层的半导体膜层叠而成的PIN结构。在光电二极管的上部设置有包括透明导电膜的上部电极，在光电二极管的下部设置有包含铝等金属的下部电极。

发明内容

然而，在形成TFT或光电二极管的有源区域的外侧，要形成与TFT的栅极电极或源极电极连接的端子。在利用制作有源区域的工序并与有源区域同时地形成端子的情况下，更能提高摄像面板的生产性，降低制造成本。

本发明的目的在于提供能提高生产性的X射线的摄像面板及其制造方法。

解决上述问题的本发明的摄像面板是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板，具有基板，并且在上述基板上具有有源区域和端子区域，上述有源区域具备：薄膜晶体管，其形成于上述基板上；第1绝缘膜，其设置于上述薄膜晶体管之上；光电转换元件，其设置于上述第1绝缘膜之上，包含具有第1导电型的第1半导体层、本征非晶质半导体层、以及具有与上述第1导电型相反的第2导电型的第2半导体层作为将上述闪烁光转换为电荷的光电转换层；第2绝缘膜，其分开配置于上述光电转换元件的上层，具有接触孔；以及导电膜，其经由上述接触孔与上述光电转换元件连接，上述端子区域具备：第1导电层，其设置于上述基板上，包括与上述薄膜晶体管的栅极电极或源极电极相同的材料；端子用第1绝缘膜，其包括与上述第1绝缘膜相同的材料，在上述第1导电层的一部分之上分离开设置，具有开口；端子用半导体层，其设置于上述端子用第1绝缘膜之上，包括与上述光电转换层的至少一部分半导体层相同的材料；以及第2导电层，其包括与上述导电膜相同的材料，以在上述开口中与上述第1导电层接触的方式设置于上述端子用半导体层之上。

根据本发明，能提高摄像面板的生产性。

附图说明

图1是表示实施方式的X射线摄像装置的示意图。

图2是表示图1所示的摄像面板的概略构成的示意图。

图3A是示意性地表示图2所示的摄像面板的一个像素部分的俯视图。

图3B是将图3A所示的像素沿A-A线截断后的截面图。

图4A是示意性地表示图1所示的摄像面板的G端子区域的俯视图。

图4B是示意性地表示图1所示的摄像面板的SB端子区域的俯视图。