[发明专利]多晶硅制造装置

权利要求书

1.一种多晶硅制造装置，包括：

反应器，在所述反应器中引入反应气体，从而通过化学气相沉积(CVD)方法执行多晶硅制造加工；

狭缝型喷嘴，所述狭缝型喷嘴安装在所述反应器处，并且在所述反应器内喷射气体以在加工期间防止硅颗粒的吸附；

电极，所述电极设置在所述反应器的底部处；以及

电极罩，所述电极罩设置在所述反应器内部的所述电极处，以覆盖所述电极，

其中

所述狭缝型喷嘴安装在所述反应器的内壁和所述底部中的至少一个上，其中

安装在所述底部的所述狭缝型喷嘴具有沿彼此相反的方向开口的一对狭缝，以便以与所述底部的预定分离距离沿平行于所述底部的左右方向喷射气体并且直接向所述电极罩喷射气体。

2.根据权利要求1所述的多晶硅制造装置，其中

安装在所述内壁的所述狭缝型喷嘴具有沿彼此相反的方向开口的一对狭缝，以便以与所述内壁的预定分离距离沿平行于所述内壁的上下方向喷射气体。

3.根据权利要求2所述的多晶硅制造装置，其中

安装在所述内壁的所述狭缝型喷嘴在所述反应器的所述内壁上设置有多个，并且

多个狭缝型喷嘴包括两个组喷嘴和单个喷嘴，以沿着所述反应器的周长形成具有等间隔的交替布置。

4.根据权利要求3所述的多晶硅制造装置，其中

所述组喷嘴中的一个狭缝型喷嘴通过第一高度与所述底部分离，并且

另一个狭缝型喷嘴在所述第一高度处沿着所述反应器的高度方向通过第一间隔而分离。

5.根据权利要求4所述的多晶硅制造装置，其中

所述单个喷嘴通过比所述第一高度高的第二高度与所述底部分离，并且沿着对角线方向以第二间隔与所述组喷嘴分离。

6.根据权利要求2所述的多晶硅制造装置，其中

在安装在所述底部的所述狭缝型喷嘴中或者在安装在所述内壁的所述狭缝型喷嘴中，狭缝间隔根据加工条件而被设定为1mm以下，并且气体喷射速度在狭缝中被设定为100m/s以上。

7.根据权利要求2所述的多晶硅制造装置，其中

所述气体包括氢气或者氯化氢。

8.根据权利要求2所述的多晶硅制造装置，其中

安装在所述底部的所述狭缝型喷嘴或者安装在所述内壁的所述狭缝型喷嘴在大量地产生所述硅颗粒的60小时的运行时间后喷射气体，并且在加工期间周期性或连续地喷射气体。

9.根据权利要求8所述的多晶硅制造装置，其中

在所述反应器的所述内壁处，当安装在所述内壁的所述狭缝型喷嘴周期性喷射气体时，

周期性的喷射在60小时的沉积加工之后间隔1小时喷射气体10分钟。

10.根据权利要求8所述的多晶硅制造装置，其中

在所述反应器的所述底部处，当安装在所述底部的所述狭缝型喷嘴周期性喷射气体时，

周期性的喷射在60小时的沉积加工之后间隔30分钟喷射气体10分钟。

11.根据权利要求2所述的多晶硅制造装置，其中

安装在所述底部的所述狭缝型喷嘴或者安装在所述内壁的所述狭缝型喷嘴由Incoloy800H、Incoloy 800、SS316L、SS316以及哈氏合金中的一种材料形成。