[发明专利]多晶硅制造装置

说明书

根据本发明的示例性实施例的多晶硅制造装置包括：反应器，在所述反应器中引入反应气体，从而通过化学气相沉积(CVD)方法执行多晶硅制造加工；以及狭缝型喷嘴，所述狭缝型喷嘴安装在所述反应器处，并且在所述反应器内喷射气体以在加工期间防止硅颗粒的吸附。

技术领域

本发明涉及一种多晶硅制造装置。更具体地，本发明涉及在化学气相沉积(CVD)加工期间在反应器中产生硅颗粒的多晶硅制造装置。

背景技术

西门子化学气相沉积(CVD)反应器是多晶硅制造加工的关键部分，并且是批处理设备。化学气相沉积(CVD)方法为如下的方法：其中，将硅丝安装在西门子CVD反应器中，通过施加电力来产生电阻热，并且在高压条件下注入反应气体60至80小时以生产具有120-150mm的直径的硅棒。

在沉积加工中，在硅棒表面处发生沉积反应，然而在反应器中的气流中或者在根据反应器或硅棒的结构所产生的气体的高温区域中产生硅颗粒。硅颗粒引起生产率恶化。

因此，需要控制硅颗粒的产生并且需要将它们去除，以便不影响加工。

在韩国专利公开第2014-0048034号中，为了解决由硅颗粒引起的问题，在沉积加工之后，注入氯化氢或氯化氢与氢气的混合气体以蚀刻并去除吸附在反应器内壁上的硅颗粒。然而，因为在去除硅颗粒的同时硅棒的表面被蚀刻，所以该方法减小了多晶硅的产量。

即，在硅沉积加工中，形成在气流或根据反应器或硅棒的结构所产生的反应器中的气体的高温区域中的硅颗粒被吸附至反应器的内壁、底部以及电极罩。结果，使多晶硅的产量恶化，并且增加了多晶硅的制造成本。

具体地，吸附在反应器的内壁上的硅颗粒减小了辐射能的反射比，并且辐射热损失增加了制造成本。由于漏电，吸附在反应器底部和电极罩上的硅颗粒引起加工中断，导致产量的损失。最后，吸附的硅颗粒增加了运行结束后的清洁工艺所需的时间，导致生产率恶化。因此，反应器内的硅颗粒的吸附增加了经济损失。

发明内容

本发明提供一种多晶硅制造装置，其抑制加工期间产生的硅颗粒在用于多晶硅生产的CVD反应器中被吸附至反应器的内部。

根据本发明的示例性实施例的多晶硅制造装置包括：反应器，在所述反应器中引入反应气体，从而通过化学气相沉积(CVD)方法执行多晶硅制造加工；以及狭缝型喷嘴，所述狭缝型喷嘴安装在所述反应器处，并且在所述反应器内喷射气体以在加工期间防止硅颗粒的吸附。

所述狭缝型喷嘴可以安装在所述反应器的内壁和底部中的至少一个上。

安装在所述底部的所述狭缝型喷嘴可以具有沿彼此相反的方向开口的一对狭缝，以便以与所述底部的预定分离距离沿平行于所述底部的左右方向喷射气体。

安装在所述内壁的所述狭缝型喷嘴可以具有沿彼此相反的方向开口的一对狭缝，以便以与所述内壁的预定分离距离沿平行于所述内壁的上下方向喷射气体。

所述狭缝型喷嘴在所述反应器的所述内壁上可以设置有多个，并且多个狭缝型喷嘴可以包括两个组喷嘴和单个喷嘴，以沿着所述反应器的周长形成具有等间隔的交替布置。

所述组喷嘴中的一个狭缝型喷嘴可以通过第一高度与所述底部分离，并且另一个狭缝型喷嘴可以在所述第一高度处沿着所述反应器的高度方向以第一间隔而分离。

所述单个喷嘴可以通过比所述第一高度高的第二高度与所述底部分离，并且可以沿着对角线方向以第二间隔与所述组喷嘴分离。

在所述狭缝型喷嘴中，狭缝间隔根据加工条件可以被设定为1mm以下，并且气体喷射速度在狭缝中可以被设定为100m/s以上。

所述气体可以包括氢气或者氯化氢。

所述狭缝型喷嘴可以在大量地产生所述硅颗粒的60小时的运行时间后喷射气体，并且可以在加工期间周期性或连续地喷射气体。